Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
18TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045STRR

частка акцыі: 169

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
19TQ015STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRR

частка акцыі: 117

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 19A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 360mV @ 19A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
18TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045STRL

частка акцыі: 144

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
15TQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRL

частка акцыі: 5027

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
15TQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRR

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
15TQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060S

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
15TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060

частка акцыі: 159

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150LR5A
Vishay Semiconductor Diodes Division

150LR5A

частка акцыі: 5549

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 471A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150KSR5
Vishay Semiconductor Diodes Division

150KSR5

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 471A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
130HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

130HFR80PV

частка акцыі: 101

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 130A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
12TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRL

частка акцыі: 129

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
12TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRR

частка акцыі: 174

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
12TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRL

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
12TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRR

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

частка акцыі: 171

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

частка акцыі: 82

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

частка акцыі: 98

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

частка акцыі: 157

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

частка акцыі: 76

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Ліст з жаданняў
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

частка акцыі: 99

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Ліст з жаданняў
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

частка акцыі: 161

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Ліст з жаданняў
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 310ns,

Ліст з жаданняў
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

частка акцыі: 5088

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

частка акцыі: 152

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

частка акцыі: 153

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 145ns,

Ліст з жаданняў
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

частка акцыі: 71

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

частка акцыі: 135

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

частка акцыі: 74

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

частка акцыі: 104

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 180A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 660mV @ 180A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў