Тырыстары - SCR - модулі

Дом
Тырыстары - SCR - модулі

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH230-20D32

частка акцыі: 9767

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH250-14

частка акцыі: 9665

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKU91/16A

частка акцыі: 9798

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 150A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKHF200-12HJ

частка акцыі: 9673

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 444A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH91/04A

частка акцыі: 9755

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH42/12A

частка акцыі: 9767

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT500-14

частка акцыі: 9721

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 785A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT27/16A

частка акцыі: 9718

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT430-16

частка акцыі: 9770

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 430A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 675A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH57/14A

частка акцыі: 9802

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKTF180-12HK

частка акцыі: 9715

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 180A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 400A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL250-08

частка акцыі: 3047

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL27/12A

частка акцыі: 9808

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT27/04A

частка акцыі: 9786

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH136/12

частка акцыі: 9715

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT26/10A

частка акцыі: 9775

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT71/06A

частка акцыі: 9757

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH26/10A

частка акцыі: 9663

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH26/08A

частка акцыі: 9664

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL26/04A

частка акцыі: 9737

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT91/12A

частка акцыі: 9705

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL91/10A

частка акцыі: 9747

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT56/10A

частка акцыі: 9736

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL250-16

частка акцыі: 9751

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT136/12

частка акцыі: 9703

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL42/06A

частка акцыі: 9739

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT142/12

частка акцыі: 9755

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 140A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 310A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT42/08A

частка акцыі: 9718

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH41/12A

частка акцыі: 9674

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT142/16

частка акцыі: 9705

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 140A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 310A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH26/04A

частка акцыі: 9662

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH91/08A

частка акцыі: 9671

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL91/06A

частка акцыі: 9737

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH170-16

частка акцыі: 9766

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 170A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 377A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT500-12

частка акцыі: 9765

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 785A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT230-18

частка акцыі: 9737

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.8kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

756

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»