Тырыстары - SCR - модулі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 21

IRKT105/10A

частка акцыі: 9729

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH500-14

частка акцыі: 9786

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 785A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT142/08

частка акцыі: 2982

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 140A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 310A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT26/14A

частка акцыі: 9721

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT162/12

частка акцыі: 2987

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL230-16D25

частка акцыі: 9766

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKTF180-12HJ

частка акцыі: 9795

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 180A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 400A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH142/14

частка акцыі: 9752

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 140A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 310A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT250-12

частка акцыі: 9646

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKU71/16A

частка акцыі: 9749

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 115A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT230-08

частка акцыі: 9728

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL250-16D25

частка акцыі: 9798

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT42/12A

частка акцыі: 9797

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKU56/08A

частка акцыі: 9785

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 95A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH41/14A

частка акцыі: 9743

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL136/08

частка акцыі: 9729

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH105/14A

частка акцыі: 9695

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT105/12A

частка акцыі: 9732

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH71/12A

частка акцыі: 9748

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKU56/12A

частка акцыі: 9808

Будова: Common Anode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 95A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH136/16

частка акцыі: 3062

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH71/14A

частка акцыі: 9690

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH105/08A

частка акцыі: 9693

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH91/16A

частка акцыі: 3034

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH26/16A

частка акцыі: 9756

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT41/14A

частка акцыі: 9765

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL230-20D32

частка акцыі: 9722

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH230-16D25

частка акцыі: 9738

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT42/14A

частка акцыі: 9750

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH91/10A

частка акцыі: 9737

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH170-14D20

частка акцыі: 9742

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 170A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 377A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH91/06A

частка акцыі: 3046

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT106/16A

частка акцыі: 9724

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL41/10A

частка акцыі: 9681

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL136/04

частка акцыі: 9731

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL105/12A

частка акцыі: 9730

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў