Тырыстары - SCR - модулі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 21

IRKL26/06A

частка акцыі: 5357

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKT250-14

частка акцыі: 9790

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL170-16

частка акцыі: 9752

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 170A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 377A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT72/12A

частка акцыі: 9807

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL56/04A

частка акцыі: 9679

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT56/12A

частка акцыі: 9738

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT162/16

частка акцыі: 9694

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKLF200-12HJ

частка акцыі: 9790

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 444A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT26/16A

частка акцыі: 9754

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL41/16A

частка акцыі: 3000

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT42/16A

частка акцыі: 9781

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH27/16A

частка акцыі: 9767

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL142/12

частка акцыі: 9784

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 140A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 310A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT92/10A

частка акцыі: 9734

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL92/12A

частка акцыі: 9806

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL250-12

частка акцыі: 9788

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH56/04A

частка акцыі: 9643

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT27/12A

частка акцыі: 9743

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT430-16PBF

частка акцыі: 9673

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 430A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 675A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT41/10A

частка акцыі: 9682

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 45A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 100A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL162/08

частка акцыі: 9652

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKTF180-08HK

частка акцыі: 9737

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 180A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 400A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKL230-16

частка акцыі: 9684

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.6kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 230A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 510A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKL136/14

частка акцыі: 9782

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKH250-08

частка акцыі: 9706

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 250A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 555A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT162/04

частка акцыі: 9784

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKU71/08A

частка акцыі: 9782

Будова: Common Cathode - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 800V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 115A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT91/04A

частка акцыі: 9758

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 95A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 210A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH105/12A

частка акцыі: 9750

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.2kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 105A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT136/14

частка акцыі: 1598

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT26/04A

частка акцыі: 3037

Будова: Series Connection - All SCRs, Колькасць SCR, дыёдаў: 2 SCRs, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 27A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 60A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH57/10A

частка акцыі: 9750

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH57/06A

частка акцыі: 9667

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 600V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 60A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT136/04

частка акцыі: 9700

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 135A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 300A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKT71/14A

частка акцыі: 9710

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 1.4kV, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 75A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 165A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKH162/04

частка акцыі: 9692

Будова: Series Connection - SCR/Diode, Колькасць SCR, дыёдаў: 1 SCR, 1 Diode, Напружанне - выключанае: 400V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 160A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 355A, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V,

Ліст з жаданняў