Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
VB30120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30120C-E3/4W

частка акцыі: 79933

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-16CTU04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04STRL-M3

частка акцыі: 179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MURD620CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURD620CTTRL-M3

частка акцыі: 169295

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-42CTQ030-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030-1-M3

частка акцыі: 70787

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKDS303/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS303/100

частка акцыі: 1868

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-UFB230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB230FA60

частка акцыі: 1461

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 141A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.78V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKC236/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC236/04PBF

частка акцыі: 1310

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 115A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRB3045CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CT-E3/81

частка акцыі: 64510

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBL1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL1040CT-E3/45

частка акцыі: 134563

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MB10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB10H100CTHE3_A/P

частка акцыі: 85935

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRB1090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1090CT-E3/8W

частка акцыі: 101065

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-HFA210NJ60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA210NJ60CPBF

частка акцыі: 1589

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 235A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.25V @ 210A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRB20H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H60CTHE3_A/I

частка акцыі: 55414

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSUD410CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD410CW60

частка акцыі: 1596

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 572A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.37V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VT60M120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT60M120CHM3/4W

частка акцыі: 58783

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR40H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40H45PT-E3/45

частка акцыі: 41001

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1545CT-E3/45

частка акцыі: 110896

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VB20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200G-E3/4W

частка акцыі: 94843

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKJ56/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/16

частка акцыі: 2154

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR30H100PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H100PT-E3/45

частка акцыі: 43089

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKD166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/16PBF

частка акцыі: 1242

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 82.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-UFB170FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB170FA60

частка акцыі: 4425

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 94A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.19V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-409CNQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-409CNQ150PBF

частка акцыі: 1439

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.46V @ 400A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS200/045

частка акцыі: 1905

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 670V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKDS401/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS401/045

частка акцыі: 1584

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBL3030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL3030PT-E3/45

частка акцыі: 48030

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKCS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS200/045

частка акцыі: 1774

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 670mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR4045PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR4045PT-E3/45

частка акцыі: 62759

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-201CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-201CNQ045PBF

частка акцыі: 1600

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 670mV @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKD166/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/08PBF

частка акцыі: 1368

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 82.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2560CT-E3/45

частка акцыі: 78278

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-80CPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CPU02-N3

частка акцыі: 8537

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.02V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKCS303/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS303/100

частка акцыі: 1641

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBLB1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CT-E3/45

частка акцыі: 114235

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SBL4030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL4030PT-E3/45

частка акцыі: 45672

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKJ91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/16

частка акцыі: 2018

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў