Дыёды - Выпрамнікі - Масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 97

VS-40CTQ045S-M3

частка акцыі: 71124

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4045C-E3/4W

частка акцыі: 58401

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTLHM3

частка акцыі: 72605

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD270-04PBF

частка акцыі: 486

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 135A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTR-M3

частка акцыі: 154053

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2090CT-M3/4W

частка акцыі: 83421

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080STRR-M3

частка акцыі: 66243

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035SHM3

частка акцыі: 61726

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3045C-E3/4W

частка акцыі: 80014

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40M120C-E3/8W

частка акцыі: 67231

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 890mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72CPQ030-N3

частка акцыі: 24069

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 510mV @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30PA60CPBF

частка акцыі: 10558

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10100CT-E3/8W

частка акцыі: 101052

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1-M3

частка акцыі: 86016

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTL-M3

частка акцыі: 76223

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRR-M3

частка акцыі: 137143

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100STRL-M3

частка акцыі: 72018

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-16PBF

частка акцыі: 469

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045STRL-M3

частка акцыі: 91202

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045CBP-E3/4W

частка акцыі: 136985

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ250-08PBF

частка акцыі: 521

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 125A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT30L60C-E3/8W

частка акцыі: 75625

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRHM3

частка акцыі: 81432

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 960mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA32PA120C-N3

частка акцыі: 8023

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CT-1-M3

частка акцыі: 153

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045C-M3/8W

частка акцыі: 114313

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200C-E3/8W

частка акцыі: 73963

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ100-N3

частка акцыі: 12537

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD320-04PBF

частка акцыі: 466

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1HM3

частка акцыі: 90762

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30100C-M3/8W

частка акцыі: 86293

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR4045CT-1-M3

частка акцыі: 86507

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-08PBF

частка акцыі: 520

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRL-M3

частка акцыі: 139847

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045S-M3

частка акцыі: 113986

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CWH02FNTRR-M3

частка акцыі: 179685

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў