Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

Дом
Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/10

частка акцыі: 2039

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

VS-301CNQ045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-301CNQ045PBF

частка акцыі: 2122

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

VS-VSKD166/04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/04PBF

частка акцыі: 1365

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 82.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/04

частка акцыі: 2153

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2060C-E3/8W

частка акцыі: 139994

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/14

частка акцыі: 1985

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40100G-E3/8W

частка акцыі: 55669

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/08

частка акцыі: 2094

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/08

частка акцыі: 2040

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/08

частка акцыі: 2138

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/16

частка акцыі: 1964

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4060C-E3/8W

частка акцыі: 64485

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/08

частка акцыі: 2054

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/06

частка акцыі: 2190

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

MBRF1560CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1560CTHE3/45

частка акцыі: 106481

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

MBR30H100CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H100CT-E3/45

частка акцыі: 71860

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

SBLB25L30CT-E3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CT-E3/81

частка акцыі: 67264

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 12.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 12.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

MBRF10H100CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10H100CT-E3/45

частка акцыі: 88363

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

MBRB1560CTHE3_A/P

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3_A/P

частка акцыі: 105705

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/08

частка акцыі: 2211

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/10

частка акцыі: 2145

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/12

частка акцыі: 2231

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

VS-440CNQ030PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-440CNQ030PBF

частка акцыі: 1526

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 220A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 440A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

MBRB20H100CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H100CT-E3/45

частка акцыі: 68193

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 770mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/04

частка акцыі: 2182

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

VS-301CNQ040PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-301CNQ040PBF

частка акцыі: 1500

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1060C-E3/8W

частка акцыі: 170745

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/12

частка акцыі: 1961

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

VS-VSKJ236/16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ236/16PBF

частка акцыі: 1263

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 115A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA70FA120

частка акцыі: 1640

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.8V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA70EA120

частка акцыі: 1559

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 35A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/12

частка акцыі: 2172

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB310CB40

частка акцыі: 4104

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 155A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.34V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

MBR30H45PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H45PT-E3/45

частка акцыі: 64570

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

VS-VSKJS403/100

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS403/100

частка акцыі: 1625

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/06

частка акцыі: 2057

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

3488

«
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
»