Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73C1J5K36BTG

RN73C1J5K36BTG

частка акцыі: 78914

Супраціўленне: 5.36 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J118KBTG

RN73C1J118KBTG

частка акцыі: 78935

Супраціўленне: 118 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A255KBTG

RN73C2A255KBTG

частка акцыі: 78915

Супраціўленне: 255 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J8K25BTG

RN73C1J8K25BTG

частка акцыі: 78933

Супраціўленне: 8.25 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A6K65BTG

RN73C2A6K65BTG

частка акцыі: 75154

Супраціўленне: 6.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A82R5BTG

RN73C2A82R5BTG

частка акцыі: 78966

Супраціўленне: 82.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J14RBTG

RN73C1J14RBTG

частка акцыі: 78924

Супраціўленне: 14 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J34K8BTG

RN73C1J34K8BTG

частка акцыі: 78886

Супраціўленне: 34.8 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J2K32BTG

RN73C1J2K32BTG

частка акцыі: 78912

Супраціўленне: 2.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J165RBTG

RN73C1J165RBTG

частка акцыі: 78940

Супраціўленне: 165 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A3K48BTG

RN73C2A3K48BTG

частка акцыі: 78934

Супраціўленне: 3.48 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J34RBTG

RN73C1J34RBTG

частка акцыі: 78898

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A442RBTG

RN73C2A442RBTG

частка акцыі: 78889

Супраціўленне: 442 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J40K2BTG

RN73C1J40K2BTG

частка акцыі: 78972

Супраціўленне: 40.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A130RBTG

RN73C2A130RBTG

частка акцыі: 78941

Супраціўленне: 130 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J30KBTG

RN73C1J30KBTG

частка акцыі: 78888

Супраціўленне: 30 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A143RBTG

RN73C2A143RBTG

частка акцыі: 78926

Супраціўленне: 143 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J1K43BTG

RN73C1J1K43BTG

частка акцыі: 78979

Супраціўленне: 1.43 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A732RBTG

RN73C2A732RBTG

частка акцыі: 78969

Супраціўленне: 732 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A23K2BTG

RN73C2A23K2BTG

частка акцыі: 78934

Супраціўленне: 23.2 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J261RBTG

RN73C1J261RBTG

частка акцыі: 78970

Супраціўленне: 261 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J22R1BTG

RN73C1J22R1BTG

частка акцыі: 78926

Супраціўленне: 22.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J309RBTG

RN73C1J309RBTG

частка акцыі: 78979

Супраціўленне: 309 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A107KBTG

RN73C2A107KBTG

частка акцыі: 78952

Супраціўленне: 107 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J64R9BTG

RN73C1J64R9BTG

частка акцыі: 78896

Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A1K87BTG

RN73C2A1K87BTG

частка акцыі: 78933

Супраціўленне: 1.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A332RBTG

RN73C2A332RBTG

частка акцыі: 78981

Супраціўленне: 332 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A12K4BTG

RN73C2A12K4BTG

частка акцыі: 78895

Супраціўленне: 12.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J665RBTG

RN73C1J665RBTG

частка акцыі: 78957

Супраціўленне: 665 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A261RBTG

RN73C2A261RBTG

частка акцыі: 78985

Супраціўленне: 261 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J191RBTG

RN73C1J191RBTG

частка акцыі: 78961

Супраціўленне: 191 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A9R76BTG

RN73C2A9R76BTG

частка акцыі: 78900

Супраціўленне: 9.76 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J22K1BTG

RN73C1J22K1BTG

частка акцыі: 75128

Супраціўленне: 22.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A57K6BTG

RN73C2A57K6BTG

частка акцыі: 78980

Супраціўленне: 57.6 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J53R6BTG

RN73C1J53R6BTG

частка акцыі: 78932

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A442KBTG

RN73C2A442KBTG

частка акцыі: 78963

Супраціўленне: 442 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,