Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73C1E348RBTG

RN73C1E348RBTG

частка акцыі: 68102

Супраціўленне: 348 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E7K32BTG

RN73C1E7K32BTG

частка акцыі: 68046

Супраціўленне: 7.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K87BTG

RN73C1E1K87BTG

частка акцыі: 68065

Супраціўленне: 1.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E13K3BTG

RN73C1E13K3BTG

частка акцыі: 68055

Супраціўленне: 13.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K96BTG

RN73C1E1K96BTG

частка акцыі: 68118

Супраціўленне: 1.96 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E2K49BTG

RN73C1E2K49BTG

частка акцыі: 68055

Супраціўленне: 2.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E255RBTG

RN73C1E255RBTG

частка акцыі: 68078

Супраціўленне: 255 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E187RBTG

RN73C1E187RBTG

частка акцыі: 68064

Супраціўленне: 187 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E61R9BTG

RN73C1E61R9BTG

частка акцыі: 68129

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E590RBTG

RN73C1E590RBTG

частка акцыі: 68081

Супраціўленне: 590 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E309RBTG

RN73C1E309RBTG

частка акцыі: 68046

Супраціўленне: 309 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E64R9BTG

RN73C1E64R9BTG

частка акцыі: 68109

Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E118RBTG

RN73C1E118RBTG

частка акцыі: 68044

Супраціўленне: 118 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E4K22BTG

RN73C1E4K22BTG

частка акцыі: 68046

Супраціўленне: 4.22 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E150RBTG

RN73C1E150RBTG

частка акцыі: 68135

Супраціўленне: 150 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K27BTG

RN73C1E1K27BTG

частка акцыі: 68103

Супраціўленне: 1.27 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E6K04BTG

RN73C1E6K04BTG

частка акцыі: 68115

Супраціўленне: 6.04 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E845RBTG

RN73C1E845RBTG

частка акцыі: 68105

Супраціўленне: 845 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E7K68BTG

RN73C1E7K68BTG

частка акцыі: 68039

Супраціўленне: 7.68 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E374RBTG

RN73C1E374RBTG

частка акцыі: 68046

Супраціўленне: 374 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E4K42BTG

RN73C1E4K42BTG

частка акцыі: 68061

Супраціўленне: 4.42 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K13BTG

RN73C1E1K13BTG

частка акцыі: 68120

Супраціўленне: 1.13 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E8K66BTG

RN73C1E8K66BTG

частка акцыі: 68097

Супраціўленне: 8.66 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E2K05BTG

RN73C1E2K05BTG

частка акцыі: 68112

Супраціўленне: 2.05 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E88R7BTG

RN73C1E88R7BTG

частка акцыі: 68072

Супраціўленне: 88.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E866RBTG

RN73C1E866RBTG

частка акцыі: 68113

Супраціўленне: 866 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E182RBTG

RN73C1E182RBTG

частка акцыі: 68085

Супраціўленне: 182 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E95R3BTG

RN73C1E95R3BTG

частка акцыі: 68069

Супраціўленне: 95.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E2K87BTG

RN73C1E2K87BTG

частка акцыі: 68108

Супраціўленне: 2.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E976RBTG

RN73C1E976RBTG

частка акцыі: 68047

Супраціўленне: 976 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E3K09BTG

RN73C1E3K09BTG

частка акцыі: 68090

Супраціўленне: 3.09 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E178RBTG

RN73C1E178RBTG

частка акцыі: 68100

Супраціўленне: 178 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E133RBTG

RN73C1E133RBTG

частка акцыі: 68126

Супраціўленне: 133 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E3K16BTG

RN73C1E3K16BTG

частка акцыі: 68119

Супраціўленне: 3.16 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E261RBTG

RN73C1E261RBTG

частка акцыі: 68077

Супраціўленне: 261 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E280RBTG

RN73C1E280RBTG

частка акцыі: 68078

Супраціўленне: 280 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,