Супраціўленне: 510 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,
Супраціўленне: 56 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,
Супраціўленне: 1.5 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,
Супраціўленне: 4.7 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,
Супраціўленне: 3.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,
Супраціўленне: 200 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1.44 kOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 0.8W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 250 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1.8 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 20 MOhms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 125 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 160 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1 GOhms, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 15 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 200 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 11W, Склад: Wirewound, Асаблівасці: Flame Proof, Safety, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,
Супраціўленне: 10 mOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 40W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,
Супраціўленне: 100 mOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 40W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Non-Inductive, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,
Супраціўленне: 130 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,
Супраціўленне: 100 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,
Супраціўленне: 402 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±5ppm/°C,
Супраціўленне: 162 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,
Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Metal Film, Асаблівасці: Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,
Супраціўленне: 2.2 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Тэмпературны каэфіцыент: ±350ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,
Супраціўленне: 200 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 2W, Склад: Thick Film, Асаблівасці: High Voltage, Pulse Withstanding, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,