Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

RN73C1E124RBTG

частка акцыі: 68053

Супраціўленне: 124 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E4K99BTG

частка акцыі: 68129

Супраціўленне: 4.99 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E357RBTG

частка акцыі: 68052

Супраціўленне: 357 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E107RBTG

частка акцыі: 68082

Супраціўленне: 107 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E100RBTG

частка акцыі: 68119

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E86R6BTG

частка акцыі: 68078

Супраціўленне: 86.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E1K4BTG

частка акцыі: 68133

Супраціўленне: 1.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E787RBTG

частка акцыі: 68041

Супраціўленне: 787 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E3K4BTG

частка акцыі: 68091

Супраціўленне: 3.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E13K7BTG

частка акцыі: 68084

Супраціўленне: 13.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1E69R8BTG

частка акцыі: 68070

Супраціўленне: 69.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RP73C2B10KATDF

частка акцыі: 72239

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.25W, 1/4W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A162RBTG

частка акцыі: 78972

Супраціўленне: 162 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RH73W2A5GNTN

частка акцыі: 65305

Супраціўленне: 5 GOhms, Талерантнасць: ±30%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±500ppm/°C,

RN73C2B255KATDF

частка акцыі: 73134

Супраціўленне: 255 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

TLR3A10DR0015FTDG

частка акцыі: 129600

Супраціўленне: 1.5 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 1W, Склад: Metal Foil, Асаблівасці: Current Sense, Тэмпературны каэфіцыент: ±50ppm/°C,

TLRS157535QR003FTDG

частка акцыі: 70857

Супраціўленне: 3 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 3.5W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±120ppm/°C,

RN73C2B4K99BTG

частка акцыі: 67925

RN73C2B7K15BTG

частка акцыі: 67886

RN73C2B35K7BTG

частка акцыі: 67849

TLRS157540QR002FTDG

частка акцыі: 70860

Супраціўленне: 2 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 4W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±120ppm/°C,

RN73C2B232KBTG

частка акцыі: 71636

Супраціўленне: 232 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2B453RBTG

частка акцыі: 71625

Супраціўленне: 453 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

TLRS157560QR001FTDG

частка акцыі: 70838

Супраціўленне: 1 mOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±120ppm/°C,

RN73C2B1K69BTG

частка акцыі: 67922

TLRS157560ER0005FTDG

частка акцыі: 70780

Супраціўленне: 500 µOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 5W, Склад: Metal Element, Асаблівасці: Current Sense, Moisture Resistant, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

RP73D2A4R99BTG

частка акцыі: 68477

Супраціўленне: 4.99 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±15ppm/°C,

RN73C2B6K81BTG

частка акцыі: 71646

Супраціўленне: 6.81 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J4K7ATDF

частка акцыі: 78478

Супраціўленне: 4.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J649RATDF

частка акцыі: 78409

Супраціўленне: 649 Ohms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J1K0ATDF

частка акцыі: 78437

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J3K9ATDF

частка акцыі: 78444

Супраціўленне: 3.9 kOhms, Талерантнасць: ±0.05%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J28R7BTG

частка акцыі: 78972

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J1K54BTG

частка акцыі: 78971

Супраціўленне: 1.54 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C1J48K7BTG

частка акцыі: 78917

Супраціўленне: 48.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,

RN73C2A19R6BTG

частка акцыі: 78903

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±10ppm/°C,