Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

частка акцыі: 176

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

частка акцыі: 130

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

частка акцыі: 149

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

частка акцыі: 172

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

частка акцыі: 100

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

частка акцыі: 156

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

частка акцыі: 186

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

частка акцыі: 206

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

частка акцыі: 158

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

частка акцыі: 139

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

частка акцыі: 198

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

частка акцыі: 195

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
6A40G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G R0G

частка акцыі: 91

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A10G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G B0G

частка акцыі: 81

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A100G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G B0G

частка акцыі: 81

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A60GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60GHR0G

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A60G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G R0G

частка акцыі: 147

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A80GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHB0G

частка акцыі: 170

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A40GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHR0G

частка акцыі: 99

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A60GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60GHA0G

частка акцыі: 122

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A05G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G R0G

частка акцыі: 159

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A05GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHA0G

частка акцыі: 149

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A10GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHA0G

частка акцыі: 175

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A100GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHR0G

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A40G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G A0G

частка акцыі: 133

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHB0G

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A60GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60GHB0G

частка акцыі: 165

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A60G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G B0G

частка акцыі: 168

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A100G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G R0G

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G R0G

частка акцыі: 125

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A40GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHB0G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHA0G

частка акцыі: 171

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў