Тырыстары - SCR | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 1

MCR100-8 A1G

частка акцыі: 229

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-3 A1G

частка акцыі: 172

Напружанне - выключанае: 100V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-7 A1G

частка акцыі: 169

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-6 A1G

частка акцыі: 265

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

частка акцыі: 255

Напружанне - выключанае: 300V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-4 A1G

частка акцыі: 254

Напружанне - выключанае: 200V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў