Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

BA158GHR1G

частка акцыі: 127

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G A0G

частка акцыі: 95

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHR1G

частка акцыі: 108

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHA0G

частка акцыі: 84

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54CW RVG

частка акцыі: 146

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54W RVG

частка акцыі: 192

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54SW RVG

частка акцыі: 145

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54AW RVG

частка акцыі: 170

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157G B0G

частка акцыі: 185

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RKG

частка акцыі: 196

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M M2G

частка акцыі: 148

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 65ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHA0G

частка акцыі: 180

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHB0G

частка акцыі: 199

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158GHB0G

частка акцыі: 111

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA158G B0G

частка акцыі: 191

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G R1G

частка акцыі: 138

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20J R3G

частка акцыі: 127

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G B0G

частка акцыі: 197

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M R3G

частка акцыі: 142

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 65ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M M2G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Avalanche, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 120ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHR1G

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA157GHB0G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159GHA0G

частка акцыі: 175

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L0G

частка акцыі: 251

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L0G

частка акцыі: 251

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21 A0G

частка акцыі: 203

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20 A0G

частка акцыі: 163

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV101 L1G

частка акцыі: 217

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19 A0G

частка акцыі: 173

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV103 L1G

частка акцыі: 215

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21W RVG

частка акцыі: 171

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS21 RFG

частка акцыі: 263

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19 RFG

частка акцыі: 250

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

B0530WF RHG

частка акцыі: 195

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W RHG

частка акцыі: 237

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 250V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W-G RHG

частка акцыі: 216

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў