Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

1N5820HA0G

частка акцыі: 88

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 475mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1T7G R0G

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933G A0G

частка акцыі: 116

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003G B0G

частка акцыі: 128

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001GHR1G

частка акцыі: 110

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1T1G A1G

частка акцыі: 118

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 B0G

частка акцыі: 166

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003G A0G

частка акцыі: 146

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5404GHB0G

частка акцыі: 85

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935GHB0G

частка акцыі: 164

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHA0G

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHA0G

частка акцыі: 136

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933G B0G

частка акцыі: 80

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006G R1G

частка акцыі: 126

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHA0G

частка акцыі: 167

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HA0G

частка акцыі: 155

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHR1G

частка акцыі: 125

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007G R1G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G A0G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHA0G

частка акцыі: 133

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1T2G A0G

частка акцыі: 142

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G R0G

частка акцыі: 80

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002G B0G

частка акцыі: 160

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G R0G

частка акцыі: 174

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHB0G

частка акцыі: 140

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819HB0G

частка акцыі: 107

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G A0G

частка акцыі: 87

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398G B0G

частка акцыі: 133

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHB0G

частка акцыі: 114

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHB0G

частка акцыі: 162

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G B0G

частка акцыі: 121

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHA0G

частка акцыі: 140

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHA0G

частка акцыі: 109

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G B0G

частка акцыі: 131

Дыёдны тып: Standard, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398G A0G

частка акцыі: 105

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHB0G

частка акцыі: 154

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў