Фіксаваныя індуктыўнасці

LQP02HQ0N4B02E

LQP02HQ0N4B02E

частка акцыі: 109156

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQM21FN100M70L

LQM21FN100M70L

частка акцыі: 142900

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 100mA, Ток - насычэнне: 100mA,

LQW18AN36NG00D

LQW18AN36NG00D

частка акцыі: 167911

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 36nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

LQW18AN5N6D10D

LQW18AN5N6D10D

частка акцыі: 195671

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQP02TQ1N6B02D

LQP02TQ1N6B02D

частка акцыі: 145807

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 390mA,

LQP03HQ3N2B02D

LQP03HQ3N2B02D

частка акцыі: 184632

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQP02HQ1N7B02E

LQP02HQ1N7B02E

частка акцыі: 150696

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

LQP02TQ5N6H02D

LQP02TQ5N6H02D

частка акцыі: 176418

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 230mA,

LQG15HH3N3C02D

LQG15HH3N3C02D

частка акцыі: 165104

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQW18AN6N2C00D

LQW18AN6N2C00D

частка акцыі: 155036

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQP15MN1N7W02D

LQP15MN1N7W02D

частка акцыі: 154274

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 1.7nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 280mA,

LQG15HHR12H02D

LQG15HHR12H02D

частка акцыі: 191838

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 120nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

LQW15AN4N7D10D

LQW15AN4N7D10D

частка акцыі: 100768

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQW18AN30NJ00D

LQW18AN30NJ00D

частка акцыі: 160511

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 30nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 420mA,

LQG15HH68NH02D

LQG15HH68NH02D

частка акцыі: 114330

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

LQP03HQ1N4B02D

LQP03HQ1N4B02D

частка акцыі: 110095

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

LQP03HQ5N6H02D

LQP03HQ5N6H02D

частка акцыі: 164849

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

LQW18AN18NG00D

LQW18AN18NG00D

частка акцыі: 150871

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 550mA,

LQP03HQ3N7B02D

LQP03HQ3N7B02D

частка акцыі: 119692

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQW15AN1N3C10D

LQW15AN1N3C10D

частка акцыі: 168546

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQP15MN3N0B02D

LQP15MN3N0B02D

частка акцыі: 182248

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 190mA,

LQW18AN2N2D00D

LQW18AN2N2D00D

частка акцыі: 154999

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

LQP02TQ0N9B02D

LQP02TQ0N9B02D

частка акцыі: 100133

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 580mA,

LQW18ANR22J00D

LQW18ANR22J00D

частка акцыі: 150029

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

LQP02HQ15NH02L

LQP02HQ15NH02L

частка акцыі: 148088

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 170mA,

LQP03HQ0N8B02D

LQP03HQ0N8B02D

частка акцыі: 101102

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

LQG15HH4N3C02D

LQG15HH4N3C02D

частка акцыі: 128807

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQW18AN4N7D00D

LQW18AN4N7D00D

частка акцыі: 189060

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 850mA,

LQP03HQ3N6B02D

LQP03HQ3N6B02D

частка акцыі: 152534

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQP02HQ0N8B02L

LQP02HQ0N8B02L

частка акцыі: 186118

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 0.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQG15HH33NJ02D

LQG15HH33NJ02D

частка акцыі: 182910

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

LQW18AN91NG00D

LQW18AN91NG00D

частка акцыі: 190317

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 91nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 230mA,

LQP02HQ0N9B02E

LQP02HQ0N9B02E

частка акцыі: 144330

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQG15HH5N1C02D

LQG15HH5N1C02D

частка акцыі: 183635

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 5.1nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 650mA,

LQP15MN1N3B02D

LQP15MN1N3B02D

частка акцыі: 146304

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 280mA,

LQP02HQ3N9B02L

LQP02HQ3N9B02L

частка акцыі: 167293

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,