Фіксаваныя індуктыўнасці

LQP15MN1N8B02D

LQP15MN1N8B02D

частка акцыі: 140119

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 280mA,

LQW18AN33NJ10D

LQW18AN33NJ10D

частка акцыі: 171963

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 550mA,

LQP02TQ1N2B02D

LQP02TQ1N2B02D

частка акцыі: 139240

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

LQW18AN3N9D00D

LQW18AN3N9D00D

частка акцыі: 164770

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 850mA,

LQW18AN10NG00D

LQW18AN10NG00D

частка акцыі: 188820

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 650mA,

LQG15HH8N2H02D

LQG15HH8N2H02D

частка акцыі: 174111

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 550mA,

LQP03HQ3N4B02D

LQP03HQ3N4B02D

частка акцыі: 122669

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQW18AN56NG00D

LQW18AN56NG00D

частка акцыі: 115036

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 56nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 360mA,

LQP02TQ0N5B02D

LQP02TQ0N5B02D

частка акцыі: 141758

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 730mA,

LQW18AN8N2D10D

LQW18AN8N2D10D

частка акцыі: 136323

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQP03HQ11NH02D

LQP03HQ11NH02D

частка акцыі: 154003

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 11nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP02HQ7N5H02E

LQP02HQ7N5H02E

частка акцыі: 156078

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 7.5nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP02HQ6N2H02L

LQP02HQ6N2H02L

частка акцыі: 166469

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQW18AN7N5C00D

LQW18AN7N5C00D

частка акцыі: 146062

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 7.5nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQW18ANR39J00D

LQW18ANR39J00D

частка акцыі: 140617

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

LQG15HH18NH02D

LQG15HH18NH02D

частка акцыі: 117678

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

LQG15HH1N1C02D

LQG15HH1N1C02D

частка акцыі: 168327

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 1.1nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQG15HHR15H02D

LQG15HHR15H02D

частка акцыі: 162177

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 150nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 150mA,

LQG15HH1N0S02D

LQG15HH1N0S02D

частка акцыі: 105839

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQW18AN6N2D00D

LQW18AN6N2D00D

частка акцыі: 194617

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQW18AN12NJ00D

LQW18AN12NJ00D

частка акцыі: 141831

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQW18AN22NJ00D

LQW18AN22NJ00D

частка акцыі: 189585

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQM21FN100M80L

LQM21FN100M80L

частка акцыі: 199216

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 100mA, Ток - насычэнне: 100mA,

LQP02HQ5N6H02E

LQP02HQ5N6H02E

частка акцыі: 104995

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP15MN18NG02D

LQP15MN18NG02D

частка акцыі: 128245

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

LQG15HH3N0C02D

LQG15HH3N0C02D

частка акцыі: 172097

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQG15HH39NH02D

LQG15HH39NH02D

частка акцыі: 183683

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP15MN9N1B02D

LQP15MN9N1B02D

частка акцыі: 127757

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 9.1nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 100mA,

LQW18AN5N6D00D

LQW18AN5N6D00D

частка акцыі: 180181

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQP03HQ6N8H02D

LQP03HQ6N8H02D

частка акцыі: 106218

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

LQP02HQ2N8B02E

LQP02HQ2N8B02E

частка акцыі: 118498

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

LQP15MN2N2B02D

LQP15MN2N2B02D

частка акцыі: 108845

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 220mA,

LQP03HQ0N6B02D

LQP03HQ0N6B02D

частка акцыі: 159927

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

LQP03HQ2N0B02D

LQP03HQ2N0B02D

частка акцыі: 145318

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQP02HQ0N5B02L

LQP02HQ0N5B02L

частка акцыі: 197586

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 0.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQG15HH5N6C02D

LQG15HH5N6C02D

частка акцыі: 109266

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 650mA,