Фіксаваныя індуктыўнасці

LQP03HQ9N1H02D

LQP03HQ9N1H02D

частка акцыі: 103163

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 9.1nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP15MN15NG02D

LQP15MN15NG02D

частка акцыі: 114754

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 90mA,

LQG15HH47NH02D

LQG15HH47NH02D

частка акцыі: 144520

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 47nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP02HQ11NH02E

LQP02HQ11NH02E

частка акцыі: 133279

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 11nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

LQP02HQ3N8B02E

LQP02HQ3N8B02E

частка акцыі: 118338

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.8nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,

LQW15AN2N4D10D

LQW15AN2N4D10D

частка акцыі: 101476

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQW18AN27NG00D

LQW18AN27NG00D

частка акцыі: 104949

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 440mA,

LQB18NNR33J10D

LQB18NNR33J10D

частка акцыі: 159119

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 450mA,

LQP15MN2N0B02D

LQP15MN2N0B02D

частка акцыі: 198845

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 220mA,

LQP02HQ5N6H02L

LQP02HQ5N6H02L

частка акцыі: 194317

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQG15HH2N0S02D

LQG15HH2N0S02D

частка акцыі: 145456

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQP02HQ0N9B02L

LQP02HQ0N9B02L

частка акцыі: 150733

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 0.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQW18AN7N5D00D

LQW18AN7N5D00D

частка акцыі: 101456

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 7.5nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQP02HQ1N5B02L

LQP02HQ1N5B02L

частка акцыі: 127528

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 700mA,

LQP15MN2N2W02D

LQP15MN2N2W02D

частка акцыі: 145297

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.05nH, Бягучы рэйтынг: 220mA,

LQW15AN3N9D10D

LQW15AN3N9D10D

частка акцыі: 182943

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQP02TQ2N2B02D

LQP02TQ2N2B02D

частка акцыі: 184412

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 380mA,

LQP03HQ2N6B02D

LQP03HQ2N6B02D

частка акцыі: 178649

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQG15HH82NH02D

LQG15HH82NH02D

частка акцыі: 147439

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 82nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

LQP02HQ4N0B02L

LQP02HQ4N0B02L

частка акцыі: 147993

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 350mA,

LQP02HQ10NH02E

LQP02HQ10NH02E

частка акцыі: 180141

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

LQW18AN6N8D10D

LQW18AN6N8D10D

частка акцыі: 180879

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQP03HQ2N7B02D

LQP03HQ2N7B02D

частка акцыі: 120422

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQP02HQ20NH02E

LQP02HQ20NH02E

частка акцыі: 192023

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 20nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 140mA,

LQP03HQ2N4B02D

LQP03HQ2N4B02D

частка акцыі: 154978

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQW18AN9N1D00D

LQW18AN9N1D00D

частка акцыі: 145870

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 9.1nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 650mA,

LQM21FN4R7M80L

LQM21FN4R7M80L

частка акцыі: 131872

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 120mA, Ток - насычэнне: 120mA,

LQW18ANR10J00D

LQW18ANR10J00D

частка акцыі: 178451

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 220mA,

LQP03HQ3N5B02D

LQP03HQ3N5B02D

частка акцыі: 180479

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.5nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQW18AN8N7D00D

LQW18AN8N7D00D

частка акцыі: 162193

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.7nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 650mA,

LQP02HQ7N5H02L

LQP02HQ7N5H02L

частка акцыі: 139995

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 7.5nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQG15HH1N8S02D

LQG15HH1N8S02D

частка акцыі: 175655

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 950mA,

LQP02HQ13NH02E

LQP02HQ13NH02E

частка акцыі: 142002

Тып: Thin Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 13nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 210mA,

LQW18AN11NJ00D

LQW18AN11NJ00D

частка акцыі: 113563

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 11nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 650mA,

LQP02HQ2N3B02L

LQP02HQ2N3B02L

частка акцыі: 163998

Тып: Thin Film, Індуктыўнасць: 2.3nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

LQW18AN68NJ00D

LQW18AN68NJ00D

частка акцыі: 162491

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 340mA,