Дыёды - моставыя выпрамнікі

Дом
Дыёды - моставыя выпрамнікі

Microsemi Corporation

APT75DL120HJ

частка акцыі: 3436

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 75A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 75A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF100H20G

частка акцыі: 1745

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 145A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF60H601G

частка акцыі: 2946

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 92A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT30DF60HJ

частка акцыі: 4765

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT30DF20HJ

частка акцыі: 6108

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF200H100G

частка акцыі: 1141

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 255A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 200A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT75DF170HJ

частка акцыі: 2789

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.7kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 75A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 75A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 1700V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF100H100G

частка акцыі: 1774

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 130A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.7V @ 100A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT100DL60HJ

частка акцыі: 4271

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 100A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF60H1201G

частка акцыі: 2732

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 82A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DF60HJ

частка акцыі: 3669

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.3V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF30H601G

частка акцыі: 3265

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 42A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF200H170G

частка акцыі: 851

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.7kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 240A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 200A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 350µA @ 1700V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF30H1201G

частка акцыі: 3161

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 43A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.1V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDR40X1601G

частка акцыі: 2893

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDF200H60G

частка акцыі: 968

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 270A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 200A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 350µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT40DR160HJ

частка акцыі: 3690

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDC40H601G

частка акцыі: 840

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 800µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT40DC60HJ

частка акцыі: 933

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 800µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDC20H1201G

частка акцыі: 862

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 400µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDC20H601G

частка акцыі: 8742

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 400µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APTDC10H601G

частка акцыі: 8792

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

частка акцыі: 386

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 800µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

частка акцыі: 918

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 400µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

частка акцыі: 4759

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

частка акцыі: 8736

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

частка акцыі: 8775

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1mA @ 200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

частка акцыі: 8758

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 75A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2V @ 75A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 600V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

частка акцыі: 8748

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 30mA @ 45V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

частка акцыі: 8788

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Schottky, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 910mV @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2mA @ 100V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

частка акцыі: 8782

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.8V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1000V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

частка акцыі: 8700

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

частка акцыі: 8706

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1mA @ 100V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

частка акцыі: 8760

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 50A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

частка акцыі: 8718

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 40A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20mA @ 45V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

частка акцыі: 8751

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 35A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 1200V,

Ліст з жаданняў

178

«
1
2
3
4
5
»