Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя
2N1717S
Microsemi Corporation

2N1717S

частка акцыі: 121

Ліст з жаданняў
2N6249T1
Microsemi Corporation

2N6249T1

частка акцыі: 91

Ліст з жаданняў
2N6300
Microsemi Corporation

2N6300

частка акцыі: 151

Ліст з жаданняў
2N6286
Microsemi Corporation

2N6286

частка акцыі: 122

Ліст з жаданняў
2N6277
Microsemi Corporation

2N6277

частка акцыі: 147

Ліст з жаданняў
2N2102S
Microsemi Corporation

2N2102S

частка акцыі: 122

Ліст з жаданняў
2N4449
Microsemi Corporation

2N4449

частка акцыі: 4940

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 20V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Ток - адсек калектара (макс.): 400nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Ліст з жаданняў
2N2814
Microsemi Corporation

2N2814

частка акцыі: 152

Ліст з жаданняў
2N5428
Microsemi Corporation

2N5428

частка акцыі: 114

Ліст з жаданняў
2N3635L
Microsemi Corporation

2N3635L

частка акцыі: 5555

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў
2N697
Microsemi Corporation

2N697

частка акцыі: 137

Ліст з жаданняў
2N5416UA
Microsemi Corporation

2N5416UA

частка акцыі: 161

Ліст з жаданняў
2N697S
Microsemi Corporation

2N697S

частка акцыі: 168

Ліст з жаданняў
2N5241
Microsemi Corporation

2N5241

частка акцыі: 140

Ліст з жаданняў
2N2895
Microsemi Corporation

2N2895

частка акцыі: 77

Ліст з жаданняў
2N5151L
Microsemi Corporation

2N5151L

частка акцыі: 124

Ліст з жаданняў
2N5238S
Microsemi Corporation

2N5238S

частка акцыі: 115

Ліст з жаданняў
2N3725UB
Microsemi Corporation

2N3725UB

частка акцыі: 3202

Ліст з жаданняў
2N5785
Microsemi Corporation

2N5785

частка акцыі: 87

Ліст з жаданняў
2N5664
Microsemi Corporation

2N5664

частка акцыі: 93

Ліст з жаданняў
2N3507U4
Microsemi Corporation

2N3507U4

частка акцыі: 120

Ліст з жаданняў
2N6352
Microsemi Corporation

2N6352

частка акцыі: 110

Ліст з жаданняў
2N5683
Microsemi Corporation

2N5683

частка акцыі: 78

Ліст з жаданняў
2N5582
Microsemi Corporation

2N5582

частка акцыі: 5051

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
2N6648
Microsemi Corporation

2N6648

частка акцыі: 130

Ліст з жаданняў
2N6353
Microsemi Corporation

2N6353

частка акцыі: 172

Ліст з жаданняў
2N3743
Microsemi Corporation

2N3743

частка акцыі: 101

Ліст з жаданняў
2N6278
Microsemi Corporation

2N6278

частка акцыі: 154

Ліст з жаданняў
2N1479
Microsemi Corporation

2N1479

частка акцыі: 141

Ліст з жаданняў
2N4910
Microsemi Corporation

2N4910

частка акцыі: 174

Ліст з жаданняў
2N5238
Microsemi Corporation

2N5238

частка акцыі: 140

Ліст з жаданняў
2N2896
Microsemi Corporation

2N2896

частка акцыі: 140

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 90V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 60 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
2N5954
Microsemi Corporation

2N5954

частка акцыі: 162

Ліст з жаданняў
2N4233A
Microsemi Corporation

2N4233A

частка акцыі: 101

Ліст з жаданняў
2N6233
Microsemi Corporation

2N6233

частка акцыі: 85

Ліст з жаданняў
2N4900
Microsemi Corporation

2N4900

частка акцыі: 122

Ліст з жаданняў