Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 34

JANS2N6250T1

частка акцыі: 6860

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 275V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5662

частка акцыі: 6854

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 200nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N2904

частка акцыі: 6848

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N5153

частка акцыі: 6931

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5015S

частка акцыі: 7006

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6251T1

частка акцыі: 6843

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N3636L

частка акцыі: 3646

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 175V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3741

частка акцыі: 2690

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 4A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N3867

частка акцыі: 6917

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Ток - адсек калектара (макс.): 100µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5015

частка акцыі: 7088

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N3439L

частка акцыі: 6770

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 350V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 2µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2904

частка акцыі: 6865

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N6211

частка акцыі: 6827

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 225V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6350

частка акцыі: 6853

Тып транзістара: NPN - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3585

частка акцыі: 6823

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N3251AUB

частка акцыі: 6859

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6546

частка акцыі: 6602

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5416U4

частка акцыі: 5694

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3634UB

частка акцыі: 3632

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 140V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANS2N7372

частка акцыі: 6912

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N3251AUB

частка акцыі: 6811

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6301

частка акцыі: 1233

Тып транзістара: PNP - Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Ток - адсек калектара (макс.): 500µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N5416

частка акцыі: 6863

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N2905

частка акцыі: 6855

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N5005

частка акцыі: 476

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3019/TR

частка акцыі: 7078

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3771

частка акцыі: 6805

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A, Ток - адсек калектара (макс.): 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N5415

частка акцыі: 6937

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N708

частка акцыі: 6911

Тып транзістара: NPN, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 15V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA, Ток - адсек калектара (макс.): 25nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N5004

частка акцыі: 536

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N6212

частка акцыі: 6703

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 125mA, 1A, Ток - адсек калектара (макс.): 5mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6250

частка акцыі: 1072

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 275V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5303

частка акцыі: 6662

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 20A, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANS2N5416U4

частка акцыі: 6700

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 1A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 300V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N7373

частка акцыі: 6854

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 80V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 50µA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N5662

частка акцыі: 6846

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 2A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 200V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 200nA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Ліст з жаданняў