Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N5234BUR-1

частка акцыі: 105

1N5937E3/TR13

частка акцыі: 108400

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4737AE3/TR13

частка акцыі: 119751

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5928AE3/TR13

частка акцыі: 108373

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4742E3/TR13

частка акцыі: 128073

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5281A

частка акцыі: 126

1N5535BUR-1

частка акцыі: 94

1N6002B

частка акцыі: 36000

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4108UR

частка акцыі: 20876

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.65V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5736C

частка акцыі: 20197

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

1N5241A

частка акцыі: 156

1N4112UR-1

частка акцыі: 183

1N5936BE3/TR13

частка акцыі: 108347

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4690UR-1

частка акцыі: 15332

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

1N4100UR-1

частка акцыі: 96

1N5543BUR-1

частка акцыі: 146

1N4760E3/TR13

частка акцыі: 128104

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N3022B-1

частка акцыі: 10668

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N749A-1

частка акцыі: 38142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 18 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5928E3/TR13

частка акцыі: 108367

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4106

частка акцыі: 168

1N5525B-1

частка акцыі: 95

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4105UR-1

частка акцыі: 117

1N4110

частка акцыі: 86

1N5931CE3/TR13

частка акцыі: 79404

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4112UR

частка акцыі: 20867

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 13.67V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5942E3/TR13

частка акцыі: 108356

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±20%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4116

частка акцыі: 172

1N4118

частка акцыі: 96

1N4702

частка акцыі: 160

1N6012B

частка акцыі: 35997

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 88 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N974B

частка акцыі: 36043

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5920C

частка акцыі: 175

1N3016B-1E3

частка акцыі: 93

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 150µA @ 5.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5940BE3/TR13

частка акцыі: 108413

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 53 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 32.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5529BUR-1

частка акцыі: 109