Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N4779
Microsemi Corporation

1N4779

частка акцыі: 786

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4784A
Microsemi Corporation

1N4784A

частка акцыі: 815

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4774A
Microsemi Corporation

1N4774A

частка акцыі: 827

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4784
Microsemi Corporation

1N4784

частка акцыі: 825

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4774
Microsemi Corporation

1N4774

частка акцыі: 838

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N821A
Microsemi Corporation

1N821A

частка акцыі: 17162

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 3V,

Ліст з жаданняў
1N4783A
Microsemi Corporation

1N4783A

частка акцыі: 915

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4773A
Microsemi Corporation

1N4773A

частка акцыі: 868

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4783
Microsemi Corporation

1N4783

частка акцыі: 904

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4773
Microsemi Corporation

1N4773

частка акцыі: 967

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4778A
Microsemi Corporation

1N4778A

частка акцыі: 936

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4768A
Microsemi Corporation

1N4768A

частка акцыі: 962

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4768
Microsemi Corporation

1N4768

частка акцыі: 932

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4778
Microsemi Corporation

1N4778

частка акцыі: 964

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N823A
Microsemi Corporation

1N823A

частка акцыі: 14019

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 3V,

Ліст з жаданняў
1N4911A
Microsemi Corporation

1N4911A

частка акцыі: 1024

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4915A
Microsemi Corporation

1N4915A

частка акцыі: 1040

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4911
Microsemi Corporation

1N4911

частка акцыі: 991

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4915
Microsemi Corporation

1N4915

частка акцыі: 7983

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N756A
Microsemi Corporation

1N756A

частка акцыі: 42879

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4907A
Microsemi Corporation

1N4907A

частка акцыі: 1004

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4772A
Microsemi Corporation

1N4772A

частка акцыі: 1015

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4917A
Microsemi Corporation

1N4917A

частка акцыі: 1046

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 600 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4777A
Microsemi Corporation

1N4777A

частка акцыі: 984

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4767A
Microsemi Corporation

1N4767A

частка акцыі: 993

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4907
Microsemi Corporation

1N4907

частка акцыі: 1027

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4917
Microsemi Corporation

1N4917

частка акцыі: 1074

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 600 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4902A
Microsemi Corporation

1N4902A

частка акцыі: 1020

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4898A
Microsemi Corporation

1N4898A

частка акцыі: 1049

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 400 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4782
Microsemi Corporation

1N4782

частка акцыі: 1087

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4902
Microsemi Corporation

1N4902

частка акцыі: 1056

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4772
Microsemi Corporation

1N4772

частка акцыі: 1097

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4898
Microsemi Corporation

1N4898

частка акцыі: 1068

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 400 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4767
Microsemi Corporation

1N4767

частка акцыі: 1120

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4777
Microsemi Corporation

1N4777

частка акцыі: 1115

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms,

Ліст з жаданняў
1N4914A
Microsemi Corporation

1N4914A

частка акцыі: 1128

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 400mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms,

Ліст з жаданняў