Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы

Дом
Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы

Microsemi Corporation

JANTX2N2919L

частка акцыі: 1721

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060L

частка акцыі: 835

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920L

частка акцыі: 1532

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N2920L

частка акцыі: 1944

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N4854U

частка акцыі: 4433

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5796U

частка акцыі: 4445

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANS2N2920

частка акцыі: 617

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6989

частка акцыі: 1252

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3811

частка акцыі: 4496

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3811L

частка акцыі: 4476

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060

частка акцыі: 4482

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5794U

частка акцыі: 4450

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

SG2003J

частка акцыі: 4422

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811

частка акцыі: 4485

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

SG2803J-DESC

частка акцыі: 4457

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N6989

частка акцыі: 1403

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N5794

частка акцыі: 4465

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

SG2023J-DESC

частка акцыі: 4587

Тып транзістара: 7 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 95V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810U

частка акцыі: 1474

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

SG2823J-883B

частка акцыі: 4475

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 95V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3811U

частка акцыі: 4430

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N6989U

частка акцыі: 4522

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N4854

частка акцыі: 586

Тып транзістара: NPN, PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N6989

частка акцыі: 1489

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N6990

частка акцыі: 4451

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

SG2823J

частка акцыі: 4440

Тып транзістара: 8 NPN Darlington, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 95V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N2920U

частка акцыі: 1510

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N6988

частка акцыі: 1211

Тып транзістара: 4 PNP (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919

частка акцыі: 1627

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N2919U

частка акцыі: 1524

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919U

частка акцыі: 1139

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N5794

частка акцыі: 231

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 600mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JAN2N6990

частка акцыі: 1554

Тып транзістара: 4 NPN (Quad), Ток - калектар (Ic) (макс.): 800mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N3810L

частка акцыі: 2505

Тып транзістара: 2 PNP (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 50mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTX2N2920L

частка акцыі: 4518

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920U

частка акцыі: 4499

Тып транзістара: 2 NPN (Dual), Ток - калектар (Ic) (макс.): 30mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 60V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10µA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Ліст з жаданняў

89

«
1
2
3
»