Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы) | Інтэгральныя схемы (ІС) | 100

A14100A-CQ256C

частка акцыі: 7650

Колькасць LAB / CLB: 1377, Колькасць уводу-вываду: 228, Колькасць брамы: 10000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA1000-CQ352B

частка акцыі: 7599

Усяго біт аператыўнай памяці: 202752, Колькасць уводу-вываду: 248, Колькасць брамы: 1000000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1280A-1CQ172M

частка акцыі: 7650

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 8000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16-1CQ208M

частка акцыі: 7583

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 175, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32-1CQ256M

частка акцыі: 7593

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32-1CQ256B

частка акцыі: 7636

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A14100A-1CQ256B

частка акцыі: 7560

Колькасць LAB / CLB: 1377, Колькасць уводу-вываду: 228, Колькасць брамы: 10000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1280A-1CQ172B

частка акцыі: 7568

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 8000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A1280A-CQ172B

частка акцыі: 7598

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць уводу-вываду: 140, Колькасць брамы: 8000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A14100A-CQ256M

частка акцыі: 9766

Колькасць LAB / CLB: 1377, Колькасць уводу-вываду: 228, Колькасць брамы: 10000, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32-CQ208

частка акцыі: 9810

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 174, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX32A-1CQ256B

частка акцыі: 7580

Колькасць LAB / CLB: 2880, Колькасць уводу-вываду: 203, Колькасць брамы: 48000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX36-CQ256

частка акцыі: 7562

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A42MX16-PQ100I

частка акцыі: 7452

Колькасць уводу-вываду: 83, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A54SX16-CQ208M

частка акцыі: 7504

Колькасць LAB / CLB: 1452, Колькасць уводу-вываду: 175, Колькасць брамы: 24000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

APA600-CQ352B

частка акцыі: 7456

Усяго біт аператыўнай памяці: 129024, Колькасць уводу-вываду: 248, Колькасць брамы: 600000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 2.7V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGLN125V5-VQ100

частка акцыі: 5841

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-2FG144

частка акцыі: 5848

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-2FGG144

частка акцыі: 5863

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-1VQ100

частка акцыі: 5825

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN250-1VQG100

частка акцыі: 5887

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 68, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-CS196

частка акцыі: 5870

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 133, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN125-2VQG100I

частка акцыі: 5889

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN125-2VQ100I

частка акцыі: 5887

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-FG144

частка акцыі: 5927

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-FG144

частка акцыі: 5957

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 97, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-2VQG100

частка акцыі: 5922

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P125-2VQ100

частка акцыі: 5980

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-FG144I

частка акцыі: 5999

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL125V5-VQ100I

частка акцыі: 5967

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3072, Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-FG144

частка акцыі: 6874

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 96, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-2VQ100I

частка акцыі: 6088

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3P060-2VQG100I

частка акцыі: 6133

Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

A3PN125-VQG100

частка акцыі: 6093

Усяго біт аператыўнай памяці: 36864, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 125000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AGL060V2-VQ100

частка акцыі: 6103

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1536, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 71, Колькасць брамы: 60000, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў

Microsemi Corporation

AX250-FGG484

частка акцыі: 9860

Колькасць LAB / CLB: 4224, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 248, Колькасць брамы: 250000, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

Ліст з жаданняў