Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

LFE2M50E-5FN900I

LFE2M50E-5FN900I

частка акцыі: 502

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-5FN672I

LFE2M50SE-5FN672I

частка акцыі: 597

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-7FN1156I

LFE3-150EA-7FN1156I

частка акцыі: 462

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M70E-6FN1152C

LFE2M70E-6FN1152C

частка акцыі: 281

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-5FN672C

LFE2M50E-5FN672C

частка акцыі: 569

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70SE-5FN672I

LFE2-70SE-5FN672I

частка акцыі: 533

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-7FN672C

LFE2M50E-7FN672C

частка акцыі: 481

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-50SE-6FN672I

LFE2-50SE-6FN672I

частка акцыі: 599

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSCM3GA15EP1-5F900C

LFSCM3GA15EP1-5F900C

частка акцыі: 8050

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFSC3GA15E-7FN256C

LFSC3GA15E-7FN256C

частка акцыі: 435

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 139, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFSCM3GA15EP1-5FN256I

LFSCM3GA15EP1-5FN256I

частка акцыі: 440

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 139, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2M70SE-5FN1152C

LFE2M70SE-5FN1152C

частка акцыі: 326

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-6LFN672I

LFE3-70EA-6LFN672I

частка акцыі: 605

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP2-30E-5FN672I

LFXP2-30E-5FN672I

частка акцыі: 1027

Колькасць LAB / CLB: 3625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 472, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-6FN672C

LFE3-150EA-6FN672C

частка акцыі: 648

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-8LFN484C

LFE3-70EA-8LFN484C

частка акцыі: 1008

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 295, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-6FN256I

LFE2M35E-6FN256I

частка акцыі: 814

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 140, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-5FN256I

LFE2M35E-5FN256I

частка акцыі: 966

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 140, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-6FN672C

LFE2M35E-6FN672C

частка акцыі: 865

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-7FN484C

LFE2M35E-7FN484C

частка акцыі: 729

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 303, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6FN484C

LFE3-95EA-6FN484C

частка акцыі: 880

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 295, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-9FN1156I

LFE3-70EA-9FN1156I

частка акцыі: 651

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-7LFN672I

LFE3-70EA-7LFN672I

частка акцыі: 601

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-35E-6FN484I

LFE2-35E-6FN484I

частка акцыі: 884

Колькасць LAB / CLB: 4000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32000, Усяго біт аператыўнай памяці: 339968, Колькасць уводу-вываду: 331, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP2-40E-6FN484C

LFXP2-40E-6FN484C

частка акцыі: 836

Колькасць LAB / CLB: 5000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 40000, Усяго біт аператыўнай памяці: 906240, Колькасць уводу-вываду: 363, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-20E-7FN672C

LFE2-20E-7FN672C

частка акцыі: 1086

Колькасць LAB / CLB: 2625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 21000, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 402, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-8FN1156I

LFE3-70EA-8FN1156I

частка акцыі: 758

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-35SE-5FN672I

LFE2-35SE-5FN672I

частка акцыі: 1042

Колькасць LAB / CLB: 4000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32000, Усяго біт аператыўнай памяці: 339968, Колькасць уводу-вываду: 450, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6FN672C

LFE3-95EA-6FN672C

частка акцыі: 958

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-50E-6FN672C

LFE2-50E-6FN672C

частка акцыі: 710

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-20SE-7FN672C

LFE2-20SE-7FN672C

частка акцыі: 1103

Колькасць LAB / CLB: 2625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 21000, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 402, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6FN672I

LFE3-95EA-6FN672I

частка акцыі: 923

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-7LFN672C

LFE3-70EA-7LFN672C

частка акцыі: 775

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-6LFN484C

LFE3-70EA-6LFN484C

частка акцыі: 1068

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 295, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-5FN484I

LFE2M35E-5FN484I

частка акцыі: 940

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 303, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-6FN672I

LFE2M35E-6FN672I

частка акцыі: 679

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,