Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

LFE3-95EA-9FN1156I

LFE3-95EA-9FN1156I

частка акцыі: 485

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M70E-6FN900C

LFE2M70E-6FN900C

частка акцыі: 414

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-8FN1156I

LFE3-95EA-8FN1156I

частка акцыі: 611

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-7FN1156C

LFE3-150EA-7FN1156C

частка акцыі: 421

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-8FN672C

LFE3-150EA-8FN672C

частка акцыі: 505

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6LFN1156I

LFE3-95EA-6LFN1156I

частка акцыі: 405

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA15E-6FN900C

LFSC3GA15E-6FN900C

частка акцыі: 429

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFSC3GA15E-5FN256I

LFSC3GA15E-5FN256I

частка акцыі: 532

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 139, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-8LFN1156C

LFE3-70EA-8LFN1156C

частка акцыі: 541

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70SE-6FN672I

LFE2-70SE-6FN672I

частка акцыі: 409

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-8LFN1156I

LFE3-95EA-8LFN1156I

частка акцыі: 384

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-6FN672I

LFE2M50E-6FN672I

частка акцыі: 511

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-7LFN1156I

LFE3-70EA-7LFN1156I

частка акцыі: 490

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70SE-5FN900C

LFE2-70SE-5FN900C

частка акцыі: 578

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 583, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSCM3GA80EP1-6FC1152I

LFSCM3GA80EP1-6FC1152I

частка акцыі: 8635

Колькасць LAB / CLB: 20000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 80000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5816320, Колькасць уводу-вываду: 660, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2M50E-7FN484C

LFE2M50E-7FN484C

частка акцыі: 539

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 270, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-6FN484I

LFE2M50SE-6FN484I

частка акцыі: 477

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 270, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSCM3GA15EP1-7FN900C

LFSCM3GA15EP1-7FN900C

частка акцыі: 357

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFSCM3GA15EP1-6FN256C

LFSCM3GA15EP1-6FN256C

частка акцыі: 466

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 139, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-6FN484C

LFE2M50SE-6FN484C

частка акцыі: 603

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 270, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6LFN672I

LFE3-95EA-6LFN672I

частка акцыі: 505

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-50SE-6FN484I

LFE2-50SE-6FN484I

частка акцыі: 578

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 339, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70E-7FN672C

LFE2-70E-7FN672C

частка акцыі: 488

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-6LFN1156I

LFE3-70EA-6LFN1156I

частка акцыі: 583

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-7FN672I

LFE3-150EA-7FN672I

частка акцыі: 548

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-50E-6FN672I

LFE2-50E-6FN672I

частка акцыі: 558

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-8FN1156C

LFE3-150EA-8FN1156C

частка акцыі: 431

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-6FN672C

LFE2M50E-6FN672C

частка акцыі: 603

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-7FN484C

LFE2M50SE-7FN484C

частка акцыі: 498

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 270, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFX1200EC-03F900C

LFX1200EC-03F900C

частка акцыі: 2812

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15376, Усяго біт аператыўнай памяці: 423936, Колькасць уводу-вываду: 496, Колькасць брамы: 1250000, Напружанне - харчаванне: 1.65V ~ 1.95V,

LFE2M70E-5FN1152C

LFE2M70E-5FN1152C

частка акцыі: 385

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-6FN484C

LFE2M50E-6FN484C

частка акцыі: 504

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 270, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70SE-7FN672C

LFE2-70SE-7FN672C

частка акцыі: 477

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70E-6FN900C

LFE2-70E-6FN900C

частка акцыі: 488

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 583, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-6FN900C

LFE2M50E-6FN900C

частка акцыі: 505

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-50SE-7FN672C

LFE2-50SE-7FN672C

частка акцыі: 528

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,