Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

  • Дом
  •  
  • Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN1152C

частка акцыі: 311

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152C

частка акцыі: 198

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFSC3GA25E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-6FN900I

частка акцыі: 310

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-6LFN1156I

частка акцыі: 306

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152C

частка акцыі: 219

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN1152I

частка акцыі: 242

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFSCM3GA25EP1-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900C

частка акцыі: 340

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFSCM3GA25EP1-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-5FN900I

частка акцыі: 301

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN900C

частка акцыі: 281

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN1152I

частка акцыі: 298

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900I

частка акцыі: 201

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900C

частка акцыі: 230

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152I

частка акцыі: 165

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFSCM3GA25EP1-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900I

частка акцыі: 262

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFSCM3GA25EP1-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-7FN900C

частка акцыі: 300

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFSC3GA25E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-7FN900C

частка акцыі: 266

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900C

частка акцыі: 230

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152I

частка акцыі: 186

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN1152C

частка акцыі: 278

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 436, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN900C

частка акцыі: 226

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152C

частка акцыі: 196

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN900I

частка акцыі: 265

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152I

частка акцыі: 219

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN900I

частка акцыі: 356

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE3-150EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156I

частка акцыі: 282

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900C

частка акцыі: 249

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900I

частка акцыі: 191

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN900I

частка акцыі: 274

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152I

частка акцыі: 153

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152C

частка акцыі: 205

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-7FN900C

частка акцыі: 242

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7LFN1156I

частка акцыі: 236

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M70SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN900C

частка акцыі: 311

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE3-150EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156C

частка акцыі: 364

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900I

частка акцыі: 172

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў
LFE2M100E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN1152C

частка акцыі: 136

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

Ліст з жаданняў