Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

LFE2M100SE-7FN1152C

LFE2M100SE-7FN1152C

частка акцыі: 156

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 520, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M100E-5FN900C

LFE2M100E-5FN900C

частка акцыі: 245

Колькасць LAB / CLB: 11875, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 95000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5435392, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA25E-5FN900C

LFSC3GA25E-5FN900C

частка акцыі: 451

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 378, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE3-70EA-8LFN672I

LFE3-70EA-8LFN672I

частка акцыі: 572

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-6FN672C

LFE2M50SE-6FN672C

частка акцыі: 581

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP10E-4F388I

LFXP10E-4F388I

частка акцыі: 8061

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10000, Усяго біт аператыўнай памяці: 221184, Колькасць уводу-вываду: 244, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

ICE65L01F-LVQ100I

ICE65L01F-LVQ100I

частка акцыі: 8564

Колькасць LAB / CLB: 160, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1280, Усяго біт аператыўнай памяці: 65536, Колькасць уводу-вываду: 72, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA15E-6FN900I

LFSC3GA15E-6FN900I

частка акцыі: 409

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFXP6C-5T144C

LFXP6C-5T144C

частка акцыі: 7998

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 100, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFSCM3GA15EP1-6FN900C

LFSCM3GA15EP1-6FN900C

частка акцыі: 444

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6LFN672C

LFE3-95EA-6LFN672C

частка акцыі: 605

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-6LFN484I

LFE3-95EA-6LFN484I

частка акцыі: 583

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 295, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50E-6FN900I

LFE2M50E-6FN900I

частка акцыі: 468

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-9FN1156C

LFE3-95EA-9FN1156C

частка акцыі: 580

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70SE-7FN900C

LFE2-70SE-7FN900C

частка акцыі: 453

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 583, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-9FN1156I

LFE3-150EA-9FN1156I

частка акцыі: 345

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP6C-4FN256I

LFXP6C-4FN256I

частка акцыі: 7848

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFE3-150EA-6FN1156C

LFE3-150EA-6FN1156C

частка акцыі: 520

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP2-17E-6FT256C

LFXP2-17E-6FT256C

частка акцыі: 8160

Колькасць LAB / CLB: 2125, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 17000, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 201, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSCM3GA15EP1-5FN900I

LFSCM3GA15EP1-5FN900I

частка акцыі: 405

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-6FN672I

LFE2M50SE-6FN672I

частка акцыі: 489

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA25E-6FFAN1020I

LFSC3GA25E-6FFAN1020I

частка акцыі: 209

Колькасць LAB / CLB: 6250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 25000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1966080, Колькасць уводу-вываду: 476, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2M70SE-5FN900I

LFE2M70SE-5FN900I

частка акцыі: 398

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-7LFN672C

LFE3-150EA-7LFN672C

частка акцыі: 515

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-7LFN1156I

LFE3-95EA-7LFN1156I

частка акцыі: 410

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-8LFN672I

LFE3-150EA-8LFN672I

частка акцыі: 320

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-6LFN1156C

LFE3-150EA-6LFN1156C

частка акцыі: 331

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-95EA-7FN1156I

LFE3-95EA-7FN1156I

частка акцыі: 628

Колькасць LAB / CLB: 11500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 92000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4526080, Колькасць уводу-вываду: 490, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M70E-5FN900C

LFE2M70E-5FN900C

частка акцыі: 436

Колькасць LAB / CLB: 8375, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 67000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4642816, Колькасць уводу-вываду: 416, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP2-40E-7FN484C

LFXP2-40E-7FN484C

частка акцыі: 610

Колькасць LAB / CLB: 5000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 40000, Усяго біт аператыўнай памяці: 906240, Колькасць уводу-вываду: 363, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-7LFN672I

LFE3-150EA-7LFN672I

частка акцыі: 390

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 380, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-70E-6FN900I

LFE2-70E-6FN900I

частка акцыі: 452

Колькасць LAB / CLB: 8500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 68000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1056768, Колькасць уводу-вываду: 583, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-5FN900I

LFE2M50SE-5FN900I

частка акцыі: 538

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA15E-5FN900I

LFSC3GA15E-5FN900I

частка акцыі: 455

Колькасць LAB / CLB: 3750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1054720, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-6FN900C

LFE2M50SE-6FN900C

частка акцыі: 467

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE3-150EA-7LFN1156C

LFE3-150EA-7LFN1156C

частка акцыі: 365

Колькасць LAB / CLB: 18625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 149000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7014400, Колькасць уводу-вываду: 586, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,