Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

частка акцыі: 12061

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

частка акцыі: 9557

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

частка акцыі: 14337

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

частка акцыі: 7092

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

частка акцыі: 15967

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

частка акцыі: 10679

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

частка акцыі: 11089

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

частка акцыі: 7743

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1186A
GeneSiC Semiconductor

1N1186A

частка акцыі: 11112

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A,

Ліст з жаданняў
1N3768R
GeneSiC Semiconductor

1N3768R

частка акцыі: 7145

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

частка акцыі: 10388

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3892
GeneSiC Semiconductor

1N3892

частка акцыі: 11891

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3879
GeneSiC Semiconductor

1N3879

частка акцыі: 12395

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3881R
GeneSiC Semiconductor

1N3881R

частка акцыі: 11499

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3881
GeneSiC Semiconductor

1N3881

частка акцыі: 12277

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3883
GeneSiC Semiconductor

1N3883

частка акцыі: 9906

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3879R
GeneSiC Semiconductor

1N3879R

частка акцыі: 15729

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3892R
GeneSiC Semiconductor

1N3892R

частка акцыі: 11929

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3883R
GeneSiC Semiconductor

1N3883R

частка акцыі: 9515

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

частка акцыі: 457

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 14.6A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

частка акцыі: 435

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 9.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.34V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

частка акцыі: 456

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 9.4A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

частка акцыі: 472

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 1A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
1N3889R
GeneSiC Semiconductor

1N3889R

частка акцыі: 12088

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

частка акцыі: 413

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4.3A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.65V @ 5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBR3530R
GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

частка акцыі: 5706

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 35A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SD4145R
GeneSiC Semiconductor

SD4145R

частка акцыі: 6557

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S40MR
GeneSiC Semiconductor

S40MR

частка акцыі: 9616

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S150Q
GeneSiC Semiconductor

S150Q

частка акцыі: 2529

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR8060R
GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

частка акцыі: 5428

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR6035
GeneSiC Semiconductor

MBR6035

частка акцыі: 5414

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRH12030
GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

частка акцыі: 2907

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S300B
GeneSiC Semiconductor

S300B

частка акцыі: 2041

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
S380ZR
GeneSiC Semiconductor

S380ZR

частка акцыі: 2007

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 2000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 380A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 380A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FR12DR05
GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

частка акцыі: 16846

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
MURH7010
GeneSiC Semiconductor

MURH7010

частка акцыі: 31

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 70A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў