Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
1N1184AR
GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

частка акцыі: 15082

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3295A
GeneSiC Semiconductor

1N3295A

частка акцыі: 3423

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1189R
GeneSiC Semiconductor

1N1189R

частка акцыі: 63

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6095
GeneSiC Semiconductor

1N6095

частка акцыі: 5630

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4588R
GeneSiC Semiconductor

1N4588R

частка акцыі: 3431

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3882R
GeneSiC Semiconductor

1N3882R

частка акцыі: 13616

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N3296AR
GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

частка акцыі: 3451

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2129A
GeneSiC Semiconductor

1N2129A

частка акцыі: 10804

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6097
GeneSiC Semiconductor

1N6097

частка акцыі: 5607

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3212
GeneSiC Semiconductor

1N3212

частка акцыі: 14924

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3765R
GeneSiC Semiconductor

1N3765R

частка акцыі: 9630

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1190
GeneSiC Semiconductor

1N1190

частка акцыі: 10824

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3766R
GeneSiC Semiconductor

1N3766R

частка акцыі: 9633

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5833R
GeneSiC Semiconductor

1N5833R

частка акцыі: 5570

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1186
GeneSiC Semiconductor

1N1186

частка акцыі: 13872

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4588
GeneSiC Semiconductor

1N4588

частка акцыі: 3389

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3671A
GeneSiC Semiconductor

1N3671A

частка акцыі: 13788

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3890
GeneSiC Semiconductor

1N3890

частка акцыі: 15975

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N5832R
GeneSiC Semiconductor

1N5832R

частка акцыі: 5637

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150KR20A
GeneSiC Semiconductor

150KR20A

частка акцыі: 3465

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3210R
GeneSiC Semiconductor

1N3210R

частка акцыі: 14992

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1189
GeneSiC Semiconductor

1N1189

частка акцыі: 11471

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3296A
GeneSiC Semiconductor

1N3296A

частка акцыі: 3452

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6096R
GeneSiC Semiconductor

1N6096R

частка акцыі: 5597

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5826
GeneSiC Semiconductor

1N5826

частка акцыі: 5569

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 440mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5826R
GeneSiC Semiconductor

1N5826R

частка акцыі: 5576

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 440mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1187
GeneSiC Semiconductor

1N1187

частка акцыі: 14520

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5827R
GeneSiC Semiconductor

1N5827R

частка акцыі: 5573

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3289AR
GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

частка акцыі: 3442

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3208
GeneSiC Semiconductor

1N3208

частка акцыі: 10062

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4593R
GeneSiC Semiconductor

1N4593R

частка акцыі: 3446

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5833
GeneSiC Semiconductor

1N5833

частка акцыі: 5595

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3212R
GeneSiC Semiconductor

1N3212R

частка акцыі: 13593

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N8032-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

частка акцыі: 411

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 2.5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
1N3765
GeneSiC Semiconductor

1N3765

частка акцыі: 9603

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 700V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2130A
GeneSiC Semiconductor

1N2130A

частка акцыі: 13757

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў