Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
1N8026-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

частка акцыі: 413

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 2.5A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
1N1183A
GeneSiC Semiconductor

1N1183A

частка акцыі: 9667

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3209R
GeneSiC Semiconductor

1N3209R

частка акцыі: 13664

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3294AR
GeneSiC Semiconductor

1N3294AR

частка акцыі: 3460

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1188A
GeneSiC Semiconductor

1N1188A

частка акцыі: 9645

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4596R
GeneSiC Semiconductor

1N4596R

частка акцыі: 3424

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4590
GeneSiC Semiconductor

1N4590

частка акцыі: 3411

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5834
GeneSiC Semiconductor

1N5834

частка акцыі: 5569

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 590mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6097R
GeneSiC Semiconductor

1N6097R

частка акцыі: 5569

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3211
GeneSiC Semiconductor

1N3211

частка акцыі: 13543

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4592
GeneSiC Semiconductor

1N4592

частка акцыі: 3455

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2128AR
GeneSiC Semiconductor

1N2128AR

частка акцыі: 11438

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150KR80A
GeneSiC Semiconductor

150KR80A

частка акцыі: 3417

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5831R
GeneSiC Semiconductor

1N5831R

частка акцыі: 5568

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150K80A
GeneSiC Semiconductor

150K80A

частка акцыі: 3418

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3295AR
GeneSiC Semiconductor

1N3295AR

частка акцыі: 3433

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3882
GeneSiC Semiconductor

1N3882

частка акцыі: 13603

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N5829R
GeneSiC Semiconductor

1N5829R

частка акцыі: 5592

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5831
GeneSiC Semiconductor

1N5831

частка акцыі: 5574

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1206A
GeneSiC Semiconductor

1N1206A

частка акцыі: 15000

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150K40A
GeneSiC Semiconductor

150K40A

частка акцыі: 3458

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
150KR100A
GeneSiC Semiconductor

150KR100A

частка акцыі: 3439

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N2135AR
GeneSiC Semiconductor

1N2135AR

частка акцыі: 9650

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3293AR
GeneSiC Semiconductor

1N3293AR

частка акцыі: 3442

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N6096
GeneSiC Semiconductor

1N6096

частка акцыі: 5594

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N5828R
GeneSiC Semiconductor

1N5828R

частка акцыі: 5618

Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1204AR
GeneSiC Semiconductor

1N1204AR

частка акцыі: 29070

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3893
GeneSiC Semiconductor

1N3893

частка акцыі: 12917

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N2137AR
GeneSiC Semiconductor

1N2137AR

частка акцыі: 9629

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 500V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1188
GeneSiC Semiconductor

1N1188

частка акцыі: 9467

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 35A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1199A
GeneSiC Semiconductor

1N1199A

частка акцыі: 24991

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N1204A
GeneSiC Semiconductor

1N1204A

частка акцыі: 21792

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3214R
GeneSiC Semiconductor

1N3214R

частка акцыі: 13835

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N3890R
GeneSiC Semiconductor

1N3890R

частка акцыі: 13730

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
1N4594
GeneSiC Semiconductor

1N4594

частка акцыі: 3451

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
1N4596
GeneSiC Semiconductor

1N4596

частка акцыі: 3402

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў