Дыёды - Выпрамнікі - Масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 25

MURTA400120

частка акцыі: 996

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.6V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A04

частка акцыі: 4394

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 30A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA50060R

частка акцыі: 982

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A200

частка акцыі: 3393

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT300100R

частка акцыі: 1524

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A150

частка акцыі: 3101

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120

частка акцыі: 994

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.6V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT30020

частка акцыі: 1593

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR500200CTR

частка акцыі: 1176

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR30035CT

частка акцыі: 1406

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR50040CT

частка акцыі: 1198

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR40020CT

частка акцыі: 1580

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FST12020

частка акцыі: 1534

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA30060R

частка акцыі: 1021

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT30040R

частка акцыі: 1168

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT10005

частка акцыі: 1314

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT30005

частка акцыі: 1154

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA20040R

частка акцыі: 971

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR20020CTR

частка акцыі: 1511

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR500200CT

частка акцыі: 1191

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR10005CTR

частка акцыі: 1524

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FST160100

частка акцыі: 1519

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 160A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA40040

частка акцыі: 989

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CT

частка акцыі: 1222

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)D

частка акцыі: 1339

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTR

частка акцыі: 1584

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT60030R

частка акцыі: 934

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT10020

частка акцыі: 1292

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR120100CT

частка акцыі: 1548

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT12040R

частка акцыі: 1889

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT120100R

частка акцыі: 1802

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR600150CT

частка акцыі: 917

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT120100

частка акцыі: 1842

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT40020

частка акцыі: 1322

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A080

частка акцыі: 4085

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR40010CT

частка акцыі: 1209

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў