Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

Дом
Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

частка акцыі: 1332

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

частка акцыі: 811

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

частка акцыі: 1880

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

частка акцыі: 1845

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

частка акцыі: 1876

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

частка акцыі: 1213

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

частка акцыі: 729

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

частка акцыі: 1374

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

частка акцыі: 665

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

частка акцыі: 1872

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

частка акцыі: 1478

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

частка акцыі: 1232

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

частка акцыі: 811

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

частка акцыі: 1275

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)

частка акцыі: 1492

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

частка акцыі: 1344

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

частка акцыі: 1195

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

частка акцыі: 1410

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)

частка акцыі: 1484

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)

частка акцыі: 1311

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500100(A)

частка акцыі: 789

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A02

частка акцыі: 2965

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

частка акцыі: 1570

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)

частка акцыі: 1934

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)

частка акцыі: 1879

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

частка акцыі: 1207

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 400A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A02

частка акцыі: 3697

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA50060(A)

частка акцыі: 795

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRT250140(A)

частка акцыі: 1411

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTS

частка акцыі: 1445

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A180

частка акцыі: 2631

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 180V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT30035R

частка акцыі: 1154

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

частка акцыі: 980

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR50045CT

частка акцыі: 1065

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR12045CTR

частка акцыі: 1320

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A045

частка акцыі: 3248

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

894

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»