Дыёды - Выпрамнікі - Масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 25

MURT40010R

частка акцыі: 1085

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT20030R

частка акцыі: 1602

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT10010

частка акцыі: 1338

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CT

частка акцыі: 1575

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR40005CTR

частка акцыі: 1276

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA60020R

частка акцыі: 949

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030

частка акцыі: 1567

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR20045CT

частка акцыі: 1548

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A180

частка акцыі: 3569

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 180V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 80A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT10040R

частка акцыі: 1285

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CT

частка акцыі: 1230

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A02

частка акцыі: 3144

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 120A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA50040R

частка акцыі: 1066

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT40010

частка акцыі: 1018

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 400A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 200A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR30005CTR

частка акцыі: 1351

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CT

частка акцыі: 1544

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A100

частка акцыі: 4056

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT10010R

частка акцыі: 1316

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT60080R

частка акцыі: 968

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CT

частка акцыі: 1187

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURTA60020

частка акцыі: 979

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT20020R

частка акцыі: 1604

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200100(A)D

частка акцыі: 1307

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035

частка акцыі: 981

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060

частка акцыі: 1255

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR50045CTR

частка акцыі: 1179

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MUR30005CT

частка акцыі: 1326

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040R

частка акцыі: 959

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

частка акцыі: 1239

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

частка акцыі: 1084

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

FST12080

частка акцыі: 1525

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

частка акцыі: 1065

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

частка акцыі: 1133

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

частка акцыі: 1485

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

частка акцыі: 1082

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

частка акцыі: 1091

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 500A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў