Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
MUR10040CT
GeneSiC Semiconductor

MUR10040CT

частка акцыі: 1546

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRTA20080(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA20080(A)D

частка акцыі: 1282

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR30020CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30020CT

частка акцыі: 1400

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT200200
GeneSiC Semiconductor

MBRT200200

частка акцыі: 1629

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR20005CTR
GeneSiC Semiconductor

MUR20005CTR

частка акцыі: 1240

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR600200CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600200CT

частка акцыі: 992

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR20035CT
GeneSiC Semiconductor

MBR20035CT

частка акцыі: 1575

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT60045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT60045R

частка акцыі: 962

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT20045
GeneSiC Semiconductor

MBRT20045

частка акцыі: 1428

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRT100160(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT100160(A)D

частка акцыі: 1940

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT12020R
GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

частка акцыі: 1833

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2X160A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

частка акцыі: 2757

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 160A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST120200
GeneSiC Semiconductor

FST120200

частка акцыі: 1639

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRTA300120(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

частка акцыі: 1322

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

частка акцыі: 1579

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

частка акцыі: 1243

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRT200160(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

частка акцыі: 1391

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR2X100A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

частка акцыі: 3294

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR200100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

частка акцыі: 1490

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR12020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

частка акцыі: 1553

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR30030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

частка акцыі: 1489

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 150A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR2X100A10
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

частка акцыі: 3311

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.35V @ 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT12045
GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

частка акцыі: 1864

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FST16045
GeneSiC Semiconductor

FST16045

частка акцыі: 1496

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 160A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRT500150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT500150R

частка акцыі: 1121

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 250A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR120200CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR120200CTR

частка акцыі: 1494

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR12020CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12020CT

частка акцыі: 1559

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 120A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRTA30080(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)D

частка акцыі: 1203

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR20080CT
GeneSiC Semiconductor

MBR20080CT

частка акцыі: 1491

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR60080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60080CTR

частка акцыі: 823

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 300A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2X100A150
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A150

частка акцыі: 3067

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURT20060R
GeneSiC Semiconductor

MURT20060R

частка акцыі: 1259

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 200A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRT150140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)D

частка акцыі: 1854

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR120100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR120100CTR

частка акцыі: 1583

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 120A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRT15080(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)D

частка акцыі: 1929

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURTA30060
GeneSiC Semiconductor

MURTA30060

частка акцыі: 946

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 150A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 150A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў