Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZX84B9V1-7-F

частка акцыі: 102812

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT585B4V3T-7

частка акцыі: 181083

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52C2V7S-7-F

частка акцыі: 168049

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT585B5V1T-7

частка акцыі: 185649

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZX84B22-7-F

частка акцыі: 113970

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B6V2-7-F

частка акцыі: 102485

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C13-7-F

частка акцыі: 118900

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B47-7-F

частка акцыі: 157114

BZT52C20T-7

частка акцыі: 170171

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C33S-7-F

частка акцыі: 146223

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT585B30T-7

частка акцыі: 152894

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT585B43T-7

частка акцыі: 181

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 30.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 100mA,

BZT52C4V7S-7-F

частка акцыі: 150813

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B27-7-F

частка акцыі: 105927

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V6T-7-F

частка акцыі: 172060

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V7S-7

частка акцыі: 3932

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C18W-7

частка акцыі: 8509

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C15W-7

частка акцыі: 8552

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C6V8-7

частка акцыі: 8330

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C22S-7

частка акцыі: 8302

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C27S-7

частка акцыі: 8290

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3-7

частка акцыі: 8316

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V7-13

частка акцыі: 8298

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3-13

частка акцыі: 8339

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C10S-7

частка акцыі: 3891

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C18-7

частка акцыі: 172308

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V9-13

частка акцыі: 8235

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C20-7

частка акцыі: 8211

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C4V3-7

частка акцыі: 8234

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B4V7-7-F

частка акцыі: 145286

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C27-13-F

частка акцыі: 8220

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C9V1W-7

частка акцыі: 8036

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C6V8W-7

частка акцыі: 8057

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C7V5W-7

частка акцыі: 8019

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C5V1W-7

частка акцыі: 8060

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C5V6W-7

частка акцыі: 8046

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,