Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT52HC20WF-7

BZT52HC20WF-7

частка акцыі: 156958

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52HC3V3WF-7

BZT52HC3V3WF-7

частка акцыі: 168480

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6.06%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C6V8T-7-F

BZX84C6V8T-7-F

частка акцыі: 151318

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5.88%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C6V2LP-7

BZT52C6V2LP-7

частка акцыі: 103992

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C11S-7-F

BZT52C11S-7-F

частка акцыі: 178733

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52HC43WF-7

BZT52HC43WF-7

частка акцыі: 188204

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±6.98%, Магутнасць - Макс: 375mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 30.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V3S-7-F

BZT52C4V3S-7-F

частка акцыі: 140436

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B33-7-F

BZX84B33-7-F

частка акцыі: 139011

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C22T-7

BZT52C22T-7

частка акцыі: 137208

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 300mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C8V2-7

BZT52C8V2-7

частка акцыі: 7298

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C30S-7

BZT52C30S-7

частка акцыі: 3722

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C47-7

BZX84C47-7

частка акцыі: 7188

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C43-7

BZX84C43-7

частка акцыі: 7246

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 30.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C20TA

BZX84C20TA

частка акцыі: 3723

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V,

BZT52C36S-7

BZT52C36S-7

частка акцыі: 7170

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C7V5S-7

BZT52C7V5S-7

частка акцыі: 7159

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C47TA

BZX84C47TA

частка акцыі: 7165

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 33V,

BZX84C2V7W-7

BZX84C2V7W-7

частка акцыі: 7211

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V6W-7

BZX84C3V6W-7

частка акцыі: 7201

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C27W-7

BZX84C27W-7

частка акцыі: 7121

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C36W-7

BZX84C36W-7

частка акцыі: 7117

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C16W-7-F

BZX84C16W-7-F

частка акцыі: 123302

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5.56%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C16T-7-F

BZX84C16T-7-F

частка акцыі: 131681

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5.56%, Магутнасць - Макс: 150mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C39TA

BZX84C39TA

частка акцыі: 7061

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 27V,

BZT52C10-13

BZT52C10-13

частка акцыі: 7080

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C2V4-13

BZT52C2V4-13

частка акцыі: 182960

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±8%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C2V4-7

BZT52C2V4-7

частка акцыі: 7141

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±8%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C2V7-7

BZT52C2V7-7

частка акцыі: 7133

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C2V7-13

BZT52C2V7-13

частка акцыі: 7081

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C33-13

BZT52C33-13

частка акцыі: 7056

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C33-7

BZT52C33-7

частка акцыі: 7106

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C8V2W-7

BZX84C8V2W-7

частка акцыі: 7126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C39W-7

BZX84C39W-7

частка акцыі: 7074

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C6V2W-7

BZX84C6V2W-7

частка акцыі: 7069

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C43-13

BZT52C43-13

частка акцыі: 7077

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V,

BZT52C43-7

BZT52C43-7

частка акцыі: 7126

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V,