Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
ZXM66P03N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66P03N8TA

частка акцыі: 9127

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.25A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.6A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN2A05N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN2A05N8TA

частка акцыі: 9192

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V,

Ліст з жаданняў
ZXM66N02N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66N02N8TA

частка акцыі: 9165

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
ZXMN6A10N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN6A10N8TA

частка акцыі: 9152

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V,

Ліст з жаданняў
ZVN4206AVSTOA
Diodes Incorporated

ZVN4206AVSTOA

частка акцыі: 9170

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 600mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN3A05N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN3A05N8TA

частка акцыі: 9165

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V,

Ліст з жаданняў
ZXM66N03N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66N03N8TA

частка акцыі: 9216

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.3A, 10V,

Ліст з жаданняў
MMBF170-7
Diodes Incorporated

MMBF170-7

частка акцыі: 9186

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 500mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZVN3310ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOB

частка акцыі: 9123

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXM66P02N8TA
Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TA

частка акцыі: 9127

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.4A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Ліст з жаданняў
ZXM64N03XTA
Diodes Incorporated

ZXM64N03XTA

частка акцыі: 8859

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated

ZXMN3A02N8TA

частка акцыі: 8862

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMP34M4SPS-13
Diodes Incorporated

DMP34M4SPS-13

частка акцыі: 20324

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 135A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZVP2120A
Diodes Incorporated

ZVP2120A

частка акцыі: 8905

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZVN0545A
Diodes Incorporated

ZVN0545A

частка акцыі: 40722

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 450V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXM63N02E6TA
Diodes Incorporated

ZXM63N02E6TA

частка акцыі: 8906

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V,

Ліст з жаданняў
DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated

DMT6016LPS-13

частка акцыі: 108367

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMP4015SPS-13
Diodes Incorporated

DMP4015SPS-13

частка акцыі: 107588

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMG4468LFG
Diodes Incorporated

DMG4468LFG

частка акцыі: 8840

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.62A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 11.6A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZVN0540A
Diodes Incorporated

ZVN0540A

частка акцыі: 8887

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXM62N03E6TA
Diodes Incorporated

ZXM62N03E6TA

частка акцыі: 8876

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.2A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN7A11GTA
Diodes Incorporated

ZXMN7A11GTA

частка акцыі: 198180

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 70V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.4A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMP4050SSS-13
Diodes Incorporated

DMP4050SSS-13

частка акцыі: 151154

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.4A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated

ZXMN10A25GTA

частка акцыі: 129068

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.9A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN6A08KTC
Diodes Incorporated

ZXMN6A08KTC

частка акцыі: 142825

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.36A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMP4015SK3-13
Diodes Incorporated

DMP4015SK3-13

частка акцыі: 190274

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZVP4105A
Diodes Incorporated

ZVP4105A

частка акцыі: 8887

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 175mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Ліст з жаданняў
DMTH8012LPSQ-13
Diodes Incorporated

DMTH8012LPSQ-13

частка акцыі: 135917

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A (Ta), 72A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN3A02X8TC
Diodes Incorporated

ZXMN3A02X8TC

частка акцыі: 8822

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMG302PU-7
Diodes Incorporated

DMG302PU-7

частка акцыі: 8763

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 170mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated

DMP4025LSS-13

частка акцыі: 169354

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

Ліст з жаданняў
ZXMN10A08E6TC
Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TC

частка акцыі: 163028

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMP6110SFDF-13
Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-13

частка акцыі: 124925

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.2A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ліст з жаданняў
DMN2300UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN2300UFB-7B

частка акцыі: 166729

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.32A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў
DMN21D2UFB-7B
Diodes Incorporated

DMN21D2UFB-7B

частка акцыі: 103456

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 760mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў
DMP3056LDM-7
Diodes Incorporated

DMP3056LDM-7

частка акцыі: 123333

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў