Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N748A TR
Central Semiconductor Corp

1N748A TR

частка акцыі: 115201

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N747A BK
Central Semiconductor Corp

1N747A BK

частка акцыі: 173432

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5268B BK
Central Semiconductor Corp

1N5268B BK

частка акцыі: 123730

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 330 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 62V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5267B BK
Central Semiconductor Corp

1N5267B BK

частка акцыі: 196647

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 270 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5266B BK
Central Semiconductor Corp

1N5266B BK

частка акцыі: 161550

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5264B BK
Central Semiconductor Corp

1N5264B BK

частка акцыі: 144015

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 60V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 46V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5260B BK
Central Semiconductor Corp

1N5260B BK

частка акцыі: 117542

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 93 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 33V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5263B BK
Central Semiconductor Corp

1N5263B BK

частка акцыі: 175483

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 43V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5258B BK
Central Semiconductor Corp

1N5258B BK

частка акцыі: 107807

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5257B BK
Central Semiconductor Corp

1N5257B BK

частка акцыі: 168375

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 58 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5255B BK
Central Semiconductor Corp

1N5255B BK

частка акцыі: 127890

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5248B BK
Central Semiconductor Corp

1N5248B BK

частка акцыі: 186763

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 21 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5253B BK
Central Semiconductor Corp

1N5253B BK

частка акцыі: 128624

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5244B BK
Central Semiconductor Corp

1N5244B BK

частка акцыі: 108230

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5242B BK
Central Semiconductor Corp

1N5242B BK

частка акцыі: 160947

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5240B BK
Central Semiconductor Corp

1N5240B BK

частка акцыі: 165049

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5239B BK
Central Semiconductor Corp

1N5239B BK

частка акцыі: 105539

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5236B BK
Central Semiconductor Corp

1N5236B BK

частка акцыі: 121875

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5238B BK
Central Semiconductor Corp

1N5238B BK

частка акцыі: 128374

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5233B BK
Central Semiconductor Corp

1N5233B BK

частка акцыі: 187572

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5230B BK
Central Semiconductor Corp

1N5230B BK

частка акцыі: 135585

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5225B BK
Central Semiconductor Corp

1N5225B BK

частка акцыі: 147594

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5226B BK
Central Semiconductor Corp

1N5226B BK

частка акцыі: 141763

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5223B BK
Central Semiconductor Corp

1N5223B BK

частка акцыі: 177326

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 75µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5221B BK
Central Semiconductor Corp

1N5221B BK

частка акцыі: 116209

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4760A BK
Central Semiconductor Corp

1N4760A BK

частка акцыі: 163551

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4761A BK
Central Semiconductor Corp

1N4761A BK

частка акцыі: 126762

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4750A BK
Central Semiconductor Corp

1N4750A BK

частка акцыі: 178321

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4748A BK
Central Semiconductor Corp

1N4748A BK

частка акцыі: 190654

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4749A BK
Central Semiconductor Corp

1N4749A BK

частка акцыі: 128803

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4747A BK
Central Semiconductor Corp

1N4747A BK

частка акцыі: 172851

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4745A BK
Central Semiconductor Corp

1N4745A BK

частка акцыі: 186589

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4746A BK
Central Semiconductor Corp

1N4746A BK

частка акцыі: 124412

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4742A BK
Central Semiconductor Corp

1N4742A BK

частка акцыі: 120883

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4744A BK
Central Semiconductor Corp

1N4744A BK

частка акцыі: 122752

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4741A BK
Central Semiconductor Corp

1N4741A BK

частка акцыі: 152968

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў