Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N4705 TR
Central Semiconductor Corp

1N4705 TR

частка акцыі: 190728

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 13.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4703 TR
Central Semiconductor Corp

1N4703 TR

частка акцыі: 190774

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5236B TR
Central Semiconductor Corp

1N5236B TR

частка акцыі: 104428

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5989B TR
Central Semiconductor Corp

1N5989B TR

частка акцыі: 108006

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 15µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4681 TR
Central Semiconductor Corp

1N4681 TR

частка акцыі: 190744

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N978B TR
Central Semiconductor Corp

1N978B TR

частка акцыі: 182163

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N970B TR
Central Semiconductor Corp

1N970B TR

частка акцыі: 179244

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4710 TR
Central Semiconductor Corp

1N4710 TR

частка акцыі: 190772

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5991B TR
Central Semiconductor Corp

1N5991B TR

частка акцыі: 150088

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 88 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N963B TR
Central Semiconductor Corp

1N963B TR

частка акцыі: 186596

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 11.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4699 TR
Central Semiconductor Corp

1N4699 TR

частка акцыі: 190766

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N966B TR
Central Semiconductor Corp

1N966B TR

частка акцыі: 179471

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5993B TR
Central Semiconductor Corp

1N5993B TR

частка акцыі: 140283

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5997B TR
Central Semiconductor Corp

1N5997B TR

частка акцыі: 194481

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4616 TR
Central Semiconductor Corp

1N4616 TR

частка акцыі: 190718

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1300 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4702 TR
Central Semiconductor Corp

1N4702 TR

частка акцыі: 190711

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4686 TR
Central Semiconductor Corp

1N4686 TR

частка акцыі: 190770

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5996B TR
Central Semiconductor Corp

1N5996B TR

частка акцыі: 157250

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4700 TR
Central Semiconductor Corp

1N4700 TR

частка акцыі: 190726

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 9.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N959B TR
Central Semiconductor Corp

1N959B TR

частка акцыі: 143893

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 6.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4708 TR
Central Semiconductor Corp

1N4708 TR

частка акцыі: 190700

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6002B TR
Central Semiconductor Corp

1N6002B TR

частка акцыі: 110615

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4621 TR
Central Semiconductor Corp

1N4621 TR

частка акцыі: 190772

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1700 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 7.5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N972B TR
Central Semiconductor Corp

1N972B TR

частка акцыі: 114542

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 49 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N6000B TR
Central Semiconductor Corp

1N6000B TR

частка акцыі: 107035

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6006B TR
Central Semiconductor Corp

1N6006B TR

частка акцыі: 114705

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5995B TR
Central Semiconductor Corp

1N5995B TR

частка акцыі: 192441

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5990B TR
Central Semiconductor Corp

1N5990B TR

частка акцыі: 160177

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4711 TR
Central Semiconductor Corp

1N4711 TR

частка акцыі: 190702

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 20.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N965B TR
Central Semiconductor Corp

1N965B TR

частка акцыі: 132792

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N973B TR
Central Semiconductor Corp

1N973B TR

частка акцыі: 141478

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 58 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5233B TR
Central Semiconductor Corp

1N5233B TR

частка акцыі: 103683

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 3.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N975B TR
Central Semiconductor Corp

1N975B TR

частка акцыі: 198799

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5240B TR
Central Semiconductor Corp

1N5240B TR

частка акцыі: 111565

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5988B TR
Central Semiconductor Corp

1N5988B TR

частка акцыі: 187965

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5238B TR
Central Semiconductor Corp

1N5238B TR

частка акцыі: 198304

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў