Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N5227B TR
Central Semiconductor Corp

1N5227B TR

частка акцыі: 198441

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 15µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4701 TR
Central Semiconductor Corp

1N4701 TR

частка акцыі: 190793

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5237B TR
Central Semiconductor Corp

1N5237B TR

частка акцыі: 192861

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4685 TR
Central Semiconductor Corp

1N4685 TR

частка акцыі: 190715

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 7.5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N962B TR
Central Semiconductor Corp

1N962B TR

частка акцыі: 167216

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5259B TR
Central Semiconductor Corp

1N5259B TR

частка акцыі: 123329

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 30V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5994B TR
Central Semiconductor Corp

1N5994B TR

частка акцыі: 197851

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4682 TR
Central Semiconductor Corp

1N4682 TR

частка акцыі: 190724

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4760A TR
Central Semiconductor Corp

1N4760A TR

частка акцыі: 172587

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4734A TR
Central Semiconductor Corp

1N4734A TR

частка акцыі: 146731

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4745A TR
Central Semiconductor Corp

1N4745A TR

частка акцыі: 142357

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N6020B TR
Central Semiconductor Corp

1N6020B TR

частка акцыі: 185876

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 240 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4370A TR
Central Semiconductor Corp

1N4370A TR

частка акцыі: 177762

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
1N4618 TR
Central Semiconductor Corp

1N4618 TR

частка акцыі: 190753

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4714 TR
Central Semiconductor Corp

1N4714 TR

частка акцыі: 190715

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4704 TR
Central Semiconductor Corp

1N4704 TR

частка акцыі: 190724

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4709 TR
Central Semiconductor Corp

1N4709 TR

частка акцыі: 190794

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4715 TR
Central Semiconductor Corp

1N4715 TR

частка акцыі: 190710

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5239B TR
Central Semiconductor Corp

1N5239B TR

частка акцыі: 186062

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4707 TR
Central Semiconductor Corp

1N4707 TR

частка акцыі: 190742

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 15.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4680 TR
Central Semiconductor Corp

1N4680 TR

частка акцыі: 190738

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4712 TR
Central Semiconductor Corp

1N4712 TR

частка акцыі: 190763

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 21.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4716 TR
Central Semiconductor Corp

1N4716 TR

частка акцыі: 190697

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 29.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4717 TR
Central Semiconductor Corp

1N4717 TR

частка акцыі: 190775

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 32.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4706 TR
Central Semiconductor Corp

1N4706 TR

частка акцыі: 190794

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4118 TR
Central Semiconductor Corp

1N4118 TR

частка акцыі: 152836

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 20.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N746A BK
Central Semiconductor Corp

1N746A BK

частка акцыі: 166489

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N750A BK
Central Semiconductor Corp

1N750A BK

частка акцыі: 166521

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4748A TR
Central Semiconductor Corp

1N4748A TR

частка акцыі: 138222

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4739A TR
Central Semiconductor Corp

1N4739A TR

частка акцыі: 138249

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N759A BK
Central Semiconductor Corp

1N759A BK

частка акцыі: 162778

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4683 BK
Central Semiconductor Corp

1N4683 BK

частка акцыі: 174424

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 800nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4627 BK
Central Semiconductor Corp

1N4627 BK

частка акцыі: 174351

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4624 BK
Central Semiconductor Corp

1N4624 BK

частка акцыі: 174423

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1550 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4711 BK
Central Semiconductor Corp

1N4711 BK

частка акцыі: 174434

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 20.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4701 BK
Central Semiconductor Corp

1N4701 BK

частка акцыі: 174412

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў