Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N4614 BK
Central Semiconductor Corp

1N4614 BK

частка акцыі: 174365

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 1.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 7.5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4688 BK
Central Semiconductor Corp

1N4688 BK

частка акцыі: 174424

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4687 BK
Central Semiconductor Corp

1N4687 BK

частка акцыі: 174370

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4712 BK
Central Semiconductor Corp

1N4712 BK

частка акцыі: 174415

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 21.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4703 BK
Central Semiconductor Corp

1N4703 BK

частка акцыі: 174398

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4709 BK
Central Semiconductor Corp

1N4709 BK

частка акцыі: 174370

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4714 BK
Central Semiconductor Corp

1N4714 BK

частка акцыі: 174395

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4680 BK
Central Semiconductor Corp

1N4680 BK

частка акцыі: 174394

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4618 BK
Central Semiconductor Corp

1N4618 BK

частка акцыі: 174371

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4700 BK
Central Semiconductor Corp

1N4700 BK

частка акцыі: 174403

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 9.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4715 BK
Central Semiconductor Corp

1N4715 BK

частка акцыі: 174389

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4682 BK
Central Semiconductor Corp

1N4682 BK

частка акцыі: 174419

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4615 BK
Central Semiconductor Corp

1N4615 BK

частка акцыі: 174429

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4710 BK
Central Semiconductor Corp

1N4710 BK

частка акцыі: 174380

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 25V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 19V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4716 BK
Central Semiconductor Corp

1N4716 BK

частка акцыі: 174426

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 29.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4705 BK
Central Semiconductor Corp

1N4705 BK

частка акцыі: 174396

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 13.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N4619 BK
Central Semiconductor Corp

1N4619 BK

частка акцыі: 174435

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1600 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 800nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4689 BK
Central Semiconductor Corp

1N4689 BK

частка акцыі: 174392

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5266B TR
Central Semiconductor Corp

1N5266B TR

частка акцыі: 162769

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4751A BK
Central Semiconductor Corp

1N4751A BK

частка акцыі: 140452

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5267B TR
Central Semiconductor Corp

1N5267B TR

частка акцыі: 140276

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 270 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4099 BK
Central Semiconductor Corp

1N4099 BK

частка акцыі: 167696

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4118 BK
Central Semiconductor Corp

1N4118 BK

частка акцыі: 157837

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 20.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5992B BK
Central Semiconductor Corp

1N5992B BK

частка акцыі: 140724

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5986B BK
Central Semiconductor Corp

1N5986B BK

частка акцыі: 153410

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 75µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5998B BK
Central Semiconductor Corp

1N5998B BK

частка акцыі: 158270

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6004B BK
Central Semiconductor Corp

1N6004B BK

частка акцыі: 103252

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 32 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6012B BK
Central Semiconductor Corp

1N6012B BK

частка акцыі: 142289

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 88 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5987B BK
Central Semiconductor Corp

1N5987B BK

частка акцыі: 138542

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6009B BK
Central Semiconductor Corp

1N6009B BK

частка акцыі: 186124

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 62 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6013B BK
Central Semiconductor Corp

1N6013B BK

частка акцыі: 178474

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5985B BK
Central Semiconductor Corp

1N5985B BK

частка акцыі: 137299

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5995B BK
Central Semiconductor Corp

1N5995B BK

частка акцыі: 172352

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6006B BK
Central Semiconductor Corp

1N6006B BK

частка акцыі: 150400

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N6002B BK
Central Semiconductor Corp

1N6002B BK

частка акцыі: 184177

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў
1N5988B BK
Central Semiconductor Corp

1N5988B BK

частка акцыі: 173266

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 100mA,

Ліст з жаданняў