PMIC - Драйверы брамы

FAN7080CM_F085

FAN7080CM_F085

частка акцыі: 8340

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5.5V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

Пажаданні
FAN7393MX

FAN7393MX

частка акцыі: 8864

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
MC34152DR2

MC34152DR2

частка акцыі: 5458

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 6.1V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,

Пажаданні
NCP5358MNTXG

NCP5358MNTXG

частка акцыі: 8513

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 13.2V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2V,

Пажаданні
FAN7389MX

FAN7389MX

частка акцыі: 9010

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
IXK611P1

IXK611P1

частка акцыі: 6837

Пажаданні
IXB611P1

IXB611P1

частка акцыі: 6063

Пажаданні
IXDI409SI

IXDI409SI

частка акцыі: 5643

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
IXDF504D1T/R

IXDF504D1T/R

частка акцыі: 6380

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
IXH611S1T/R

IXH611S1T/R

частка акцыі: 6846

Пажаданні
IXDI502SIA

IXDI502SIA

частка акцыі: 6504

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
IXDD509D1T/R

IXDD509D1T/R

частка акцыі: 7582

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
IXDN514D1T/R

IXDN514D1T/R

частка акцыі: 6693

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

Пажаданні
ISL6612AEIBZ-T

ISL6612AEIBZ-T

частка акцыі: 4516

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6612IBZR5238

ISL6612IBZR5238

частка акцыі: 7942

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6612IBZ-T

ISL6612IBZ-T

частка акцыі: 4648

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6614AIRZ

ISL6614AIRZ

частка акцыі: 1935

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
HIP2121FRTBZ-T

HIP2121FRTBZ-T

частка акцыі: 8980

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

Пажаданні
EL7155CS-T7

EL7155CS-T7

частка акцыі: 3594

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
EL7252CN

EL7252CN

частка акцыі: 2745

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
EL7252CS-T7

EL7252CS-T7

частка акцыі: 3730

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
ISL6614BIRZ-T

ISL6614BIRZ-T

частка акцыі: 8226

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6620AIBZ-T

ISL6620AIBZ-T

частка акцыі: 7612

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
ISL6608CR

ISL6608CR

частка акцыі: 4383

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
ISL6613BIR-T

ISL6613BIR-T

частка акцыі: 8536

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6612EIB-T

ISL6612EIB-T

частка акцыі: 4621

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
EL7242CS-T7

EL7242CS-T7

частка акцыі: 3628

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
ISL89162FBEBZ

ISL89162FBEBZ

частка акцыі: 9393

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,

Пажаданні
IRS2330STRPBF

IRS2330STRPBF

частка акцыі: 8248

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
IRS21851SPBF

IRS21851SPBF

частка акцыі: 5477

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
IRS2330DJPBF

IRS2330DJPBF

частка акцыі: 8648

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
IRS21858SPBF

IRS21858SPBF

частка акцыі: 8526

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
MAX5078BATT/V+T

MAX5078BATT/V+T

частка акцыі: 8379

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
LM5101CSDX/NOPB

LM5101CSDX/NOPB

частка акцыі: 8740

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2.3V, -,

Пажаданні
LM2722MX/NOPB

LM2722MX/NOPB

частка акцыі: 40154

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 7V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
TPS2830DRG4

TPS2830DRG4

частка акцыі: 6932

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 15V,

Пажаданні