PMIC - Драйверы брамы

EB01-FS450R12KE3

EB01-FS450R12KE3

частка акцыі: 1146

Пажаданні
EB01-FS225R12KE3

EB01-FS225R12KE3

частка акцыі: 2968

Пажаданні
IGD515EI

IGD515EI

частка акцыі: 498

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 12V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V,

Пажаданні
EB01-FS450R17KE3

EB01-FS450R17KE3

частка акцыі: 1207

Пажаданні
CSD123

CSD123

частка акцыі: 1091

Пажаданні
MAX5057AASA

MAX5057AASA

частка акцыі: 324

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
MAX5063BASA-T

MAX5063BASA-T

частка акцыі: 480

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
MAX4427ESA-T

MAX4427ESA-T

частка акцыі: 9054

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX5062BASA

MAX5062BASA

частка акцыі: 1201

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 12.6V,

Пажаданні
MAX4427MJA/883B

MAX4427MJA/883B

частка акцыі: 3364

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX5056AASA-T

MAX5056AASA-T

частка акцыі: 2835

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 15V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,

Пажаданні
MAX4429ESA

MAX4429ESA

частка акцыі: 1091

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MAX4420MJA/883B

MAX4420MJA/883B

частка акцыі: 3799

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
LM5111-1MX

LM5111-1MX

частка акцыі: 2480

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 3.5V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM2722MX

LM2722MX

частка акцыі: 606

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 7V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
LM5102MM

LM5102MM

частка акцыі: 10077

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

Пажаданні
LM9061MX

LM9061MX

частка акцыі: 10052

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 26V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,

Пажаданні
IR2137J

IR2137J

частка акцыі: 1998

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 3, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 12.5V ~ 20V,

Пажаданні
IR2111STR

IR2111STR

частка акцыі: 1920

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V,

Пажаданні
IRS2332B

IRS2332B

частка акцыі: 873

Пажаданні
MAQ4125YME-TRVAO

MAQ4125YME-TRVAO

частка акцыі: 9033

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MIC4423CWM

MIC4423CWM

частка акцыі: 2152

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MIC4479YM-TR

MIC4479YM-TR

частка акцыі: 74202

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 32V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
MCP1415T-E/MC

MCP1415T-E/MC

частка акцыі: 272

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
VLA513-01R

VLA513-01R

частка акцыі: 719

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14V ~ 15V,

Пажаданні
VLA552-01R

VLA552-01R

частка акцыі: 663

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14.2V ~ 15.8V,

Пажаданні
VLA546-01R

VLA546-01R

частка акцыі: 203

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14V ~ 17V,

Пажаданні
VLA553-01R

VLA553-01R

частка акцыі: 389

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, Напружанне - харчаванне: 14.2V ~ 15.8V,

Пажаданні
IXRFD630

IXRFD630

частка акцыі: 3210

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

Пажаданні
NCP5901EMNTBG

NCP5901EMNTBG

частка акцыі: 583

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 13.2V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,

Пажаданні
FAN7393AM

FAN7393AM

частка акцыі: 2790

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
CS8312YN8

CS8312YN8

частка акцыі: 2095

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 10V,

Пажаданні
L6743B

L6743B

частка акцыі: 2884

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 12V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
MC33395TDWBR2

MC33395TDWBR2

частка акцыі: 1854

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5.5V ~ 24V,

Пажаданні
MC33395DWBR2

MC33395DWBR2

частка акцыі: 3030

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5.5V ~ 24V,

Пажаданні
IXDI502PI

IXDI502PI

частка акцыі: 2343

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні