Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T08052A7503FBHFT

9T08052A7503FBHFT

частка акцыі: 232

Супраціўленне: 750 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A8063FBHFT

9T08052A8063FBHFT

частка акцыі: 4034

Супраціўленне: 806 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A7693FBHFT

9T08052A7693FBHFT

частка акцыі: 4099

Супраціўленне: 769 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A7873FBHFT

9T08052A7873FBHFT

частка акцыі: 253

Супраціўленне: 787 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6813FBHFT

9T08052A6813FBHFT

частка акцыі: 4072

Супраціўленне: 681 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A7153FBHFT

9T08052A7153FBHFT

частка акцыі: 237

Супраціўленне: 715 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A7323FBHFT

9T08052A7323FBHFT

частка акцыі: 215

Супраціўленне: 732 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6983FBHFT

9T08052A6983FBHFT

частка акцыі: 276

Супраціўленне: 698 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6803FBHFT

9T08052A6803FBHFT

частка акцыі: 243

Супраціўленне: 680 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6343FBHFT

9T08052A6343FBHFT

частка акцыі: 220

Супраціўленне: 634 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6653FBHFT

9T08052A6653FBHFT

частка акцыі: 4046

Супраціўленне: 665 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6493FBHFT

9T08052A6493FBHFT

частка акцыі: 242

Супраціўленне: 649 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5903FBHFT

9T08052A5903FBHFT

частка акцыі: 236

Супраціўленне: 590 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6043FBHFT

9T08052A6043FBHFT

частка акцыі: 230

Супраціўленне: 604 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6203FBHFT

9T08052A6203FBHFT

частка акцыі: 277

Супраціўленне: 620 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A6193FBHFT

9T08052A6193FBHFT

частка акцыі: 213

Супраціўленне: 619 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5623FBHFT

9T08052A5623FBHFT

частка акцыі: 247

Супраціўленне: 562 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5763FBHFT

9T08052A5763FBHFT

частка акцыі: 257

Супраціўленне: 576 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5603FBHFT

9T08052A5603FBHFT

частка акцыі: 221

Супраціўленне: 560 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5493FBHFT

9T08052A5493FBHFT

частка акцыі: 248

Супраціўленне: 549 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5363FBHFT

9T08052A5363FBHFT

частка акцыі: 192

Супраціўленне: 536 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5103FBHFT

9T08052A5103FBHFT

частка акцыі: 254

Супраціўленне: 510 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A5233FBHFT

9T08052A5233FBHFT

частка акцыі: 233

Супраціўленне: 523 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4703FBHFT

9T08052A4703FBHFT

частка акцыі: 249

Супраціўленне: 470 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4753FBHFT

9T08052A4753FBHFT

частка акцыі: 191

Супраціўленне: 475 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4993FBHFT

9T08052A4993FBHFT

частка акцыі: 249

Супраціўленне: 499 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4873FBHFT

9T08052A4873FBHFT

частка акцыі: 251

Супраціўленне: 487 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4323FBHFT

9T08052A4323FBHFT

частка акцыі: 179

Супраціўленне: 432 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4643FBHFT

9T08052A4643FBHFT

частка акцыі: 4111

Супраціўленне: 464 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4423FBHFT

9T08052A4423FBHFT

частка акцыі: 186

Супраціўленне: 442 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4533FBHFT

9T08052A4533FBHFT

частка акцыі: 228

Супраціўленне: 453 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4223FBHFT

9T08052A4223FBHFT

частка акцыі: 257

Супраціўленне: 422 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4023FBHFT

9T08052A4023FBHFT

частка акцыі: 228

Супраціўленне: 402 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A4303FBHFT

9T08052A4303FBHFT

частка акцыі: 181

Супраціўленне: 430 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3923FBHFT

9T08052A3923FBHFT

частка акцыі: 4109

Супраціўленне: 392 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3833FBHFT

9T08052A3833FBHFT

частка акцыі: 184

Супраціўленне: 383 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні