Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T08052A3743FBHFT

9T08052A3743FBHFT

частка акцыі: 4071

Супраціўленне: 374 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3903FBHFT

9T08052A3903FBHFT

частка акцыі: 266

Супраціўленне: 390 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3653FBHFT

9T08052A3653FBHFT

частка акцыі: 203

Супраціўленне: 365 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3603FBHFT

9T08052A3603FBHFT

частка акцыі: 256

Супраціўленне: 360 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3573FBHFT

9T08052A3573FBHFT

частка акцыі: 188

Супраціўленне: 357 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3303FBHFT

9T08052A3303FBHFT

частка акцыі: 192

Супраціўленне: 330 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3323FBHFT

9T08052A3323FBHFT

частка акцыі: 170

Супраціўленне: 332 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3403FBHFT

9T08052A3403FBHFT

частка акцыі: 213

Супраціўленне: 340 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3003FBHFT

9T08052A3003FBHFT

частка акцыі: 234

Супраціўленне: 300 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3163FBHFT

9T08052A3163FBHFT

частка акцыі: 195

Супраціўленне: 316 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3093FBHFT

9T08052A3093FBHFT

частка акцыі: 203

Супраціўленне: 309 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A3013FBHFT

9T08052A3013FBHFT

частка акцыі: 208

Супраціўленне: 301 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2803FBHFT

9T08052A2803FBHFT

частка акцыі: 222

Супраціўленне: 280 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2873FBHFT

9T08052A2873FBHFT

частка акцыі: 4048

Супраціўленне: 287 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2943FBHFT

9T08052A2943FBHFT

частка акцыі: 254

Супраціўленне: 294 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2743FBHFT

9T08052A2743FBHFT

частка акцыі: 219

Супраціўленне: 274 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2703FBHFT

9T08052A2703FBHFT

частка акцыі: 248

Супраціўленне: 270 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2673FBHFT

9T08052A2673FBHFT

частка акцыі: 4085

Супраціўленне: 267 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2553FBHFT

9T08052A2553FBHFT

частка акцыі: 4094

Супраціўленне: 255 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2613FBHFT

9T08052A2613FBHFT

частка акцыі: 200

Супраціўленне: 261 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2493FBHFT

9T08052A2493FBHFT

частка акцыі: 173

Супраціўленне: 249 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2373FBHFT

9T08052A2373FBHFT

частка акцыі: 179

Супраціўленне: 237 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2433FBHFT

9T08052A2433FBHFT

частка акцыі: 169

Супраціўленне: 243 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2203FBHFT

9T08052A2203FBHFT

частка акцыі: 161

Супраціўленне: 220 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2213FBHFT

9T08052A2213FBHFT

частка акцыі: 184

Супраціўленне: 221 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2263FBHFT

9T08052A2263FBHFT

частка акцыі: 199

Супраціўленне: 226 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2323FBHFT

9T08052A2323FBHFT

частка акцыі: 4033

Супраціўленне: 232 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2053FBHFT

9T08052A2053FBHFT

частка акцыі: 237

Супраціўленне: 205 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A2153FBHFT

9T08052A2153FBHFT

частка акцыі: 156

Супраціўленне: 215 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1963FBHFT

9T08052A1963FBHFT

частка акцыі: 173

Супраціўленне: 196 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1913FBHFT

9T08052A1913FBHFT

частка акцыі: 185

Супраціўленне: 191 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1823FBHFT

9T08052A1823FBHFT

частка акцыі: 173

Супраціўленне: 182 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1783FBHFT

9T08052A1783FBHFT

частка акцыі: 157

Супраціўленне: 178 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1693FBHFT

9T08052A1693FBHFT

частка акцыі: 181

Супраціўленне: 169 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1803FBHFT

9T08052A1803FBHFT

частка акцыі: 196

Супраціўленне: 180 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1743FBHFT

9T08052A1743FBHFT

частка акцыі: 167

Супраціўленне: 174 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні