Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T06031A40R2FBHFT

9T06031A40R2FBHFT

частка акцыі: 302

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A38R3FBHFT

9T06031A38R3FBHFT

частка акцыі: 374

Супраціўленне: 38.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A39R0FBHFT

9T06031A39R0FBHFT

частка акцыі: 348

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A36R5FBHFT

9T06031A36R5FBHFT

частка акцыі: 354

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A35R7FBHFT

9T06031A35R7FBHFT

частка акцыі: 310

Супраціўленне: 35.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A37R4FBHFT

9T06031A37R4FBHFT

частка акцыі: 319

Супраціўленне: 37.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A36R0FBHFT

9T06031A36R0FBHFT

частка акцыі: 346

Супраціўленне: 36 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A33R2FBHFT

9T06031A33R2FBHFT

частка акцыі: 330

Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A33R0FBHFT

9T06031A33R0FBHFT

частка акцыі: 300

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A34R0FBHFT

9T06031A34R0FBHFT

частка акцыі: 310

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A34R8FBHFT

9T06031A34R8FBHFT

частка акцыі: 321

Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A31R6FBHFT

9T06031A31R6FBHFT

частка акцыі: 361

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A30R9FBHFT

9T06031A30R9FBHFT

частка акцыі: 363

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A30R1FBHFT

9T06031A30R1FBHFT

частка акцыі: 301

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A32R4FBHFT

9T06031A32R4FBHFT

частка акцыі: 306

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A30R0FBHFT

9T06031A30R0FBHFT

частка акцыі: 294

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A27R4FBHFT

9T06031A27R4FBHFT

частка акцыі: 303

Супраціўленне: 27.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A26R1FBHFT

9T06031A26R1FBHFT

частка акцыі: 278

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A27R0FBHFT

9T06031A27R0FBHFT

частка акцыі: 312

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A26R7FBHFT

9T06031A26R7FBHFT

частка акцыі: 331

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A25R5FBHFT

9T06031A25R5FBHFT

частка акцыі: 288

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A24R9FBHFT

9T06031A24R9FBHFT

частка акцыі: 278

Супраціўленне: 24.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A24R3FBHFT

9T06031A24R3FBHFT

частка акцыі: 354

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A24R0FBHFT

9T06031A24R0FBHFT

частка акцыі: 286

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A23R2FBHFT

9T06031A23R2FBHFT

частка акцыі: 291

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A23R7FBHFT

9T06031A23R7FBHFT

частка акцыі: 282

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A20R5FBHFT

9T06031A20R5FBHFT

частка акцыі: 317

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A21R5FBHFT

9T06031A21R5FBHFT

частка акцыі: 338

Супраціўленне: 21.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A22R0FBHFT

9T06031A22R0FBHFT

частка акцыі: 310

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A21R0FBHFT

9T06031A21R0FBHFT

частка акцыі: 316

Супраціўленне: 21 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A19R6FBHFT

9T06031A19R6FBHFT

частка акцыі: 251

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A20R0FBHFT

9T06031A20R0FBHFT

частка акцыі: 333

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A19R1FBHFT

9T06031A19R1FBHFT

частка акцыі: 4088

Супраціўленне: 19.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A18R0FBHFT

9T06031A18R0FBHFT

частка акцыі: 266

Супраціўленне: 18 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A17R8FBHFT

9T06031A17R8FBHFT

частка акцыі: 4032

Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A17R4FBHFT

9T06031A17R4FBHFT

частка акцыі: 293

Супраціўленне: 17.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні