Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T06031A18R2FBHFT

9T06031A18R2FBHFT

частка акцыі: 312

Супраціўленне: 18.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A16R5FBHFT

9T06031A16R5FBHFT

частка акцыі: 311

Супраціўленне: 16.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A16R2FBHFT

9T06031A16R2FBHFT

частка акцыі: 273

Супраціўленне: 16.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A16R0FBHFT

9T06031A16R0FBHFT

частка акцыі: 286

Супраціўленне: 16 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A16R9FBHFT

9T06031A16R9FBHFT

частка акцыі: 259

Супраціўленне: 16.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A15R4FBHFT

9T06031A15R4FBHFT

частка акцыі: 338

Супраціўленне: 15.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A15R8FBHFT

9T06031A15R8FBHFT

частка акцыі: 305

Супраціўленне: 15.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A15R0FBHFT

9T06031A15R0FBHFT

частка акцыі: 297

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A14R0FBHFT

9T06031A14R0FBHFT

частка акцыі: 4067

Супраціўленне: 14 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A13R7FBHFT

9T06031A13R7FBHFT

частка акцыі: 320

Супраціўленне: 13.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A14R3FBHFT

9T06031A14R3FBHFT

частка акцыі: 322

Супраціўленне: 14.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A13R3FBHFT

9T06031A13R3FBHFT

частка акцыі: 256

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A12R4FBHFT

9T06031A12R4FBHFT

частка акцыі: 293

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A13R0FBHFT

9T06031A13R0FBHFT

частка акцыі: 253

Супраціўленне: 13 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A12R7FBHFT

9T06031A12R7FBHFT

частка акцыі: 265

Супраціўленне: 12.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A12R1FBHFT

9T06031A12R1FBHFT

частка акцыі: 319

Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A12R0FBHFT

9T06031A12R0FBHFT

частка акцыі: 305

Супраціўленне: 12 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A11R5FBHFT

9T06031A11R5FBHFT

частка акцыі: 317

Супраціўленне: 11.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A11R8FBHFT

9T06031A11R8FBHFT

частка акцыі: 4113

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A11R3FBHFT

9T06031A11R3FBHFT

частка акцыі: 283

Супраціўленне: 11.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A10R2FBHFT

9T06031A10R2FBHFT

частка акцыі: 313

Супраціўленне: 10.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A10R7FBHFT

9T06031A10R7FBHFT

частка акцыі: 4075

Супраціўленне: 10.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A10R5FBHFT

9T06031A10R5FBHFT

частка акцыі: 251

Супраціўленне: 10.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A11R0FBHFT

9T06031A11R0FBHFT

частка акцыі: 299

Супраціўленне: 11 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A9763FBHFT

9T08052A9763FBHFT

частка акцыі: 286

Супраціўленне: 976 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A9533FBHFT

9T08052A9533FBHFT

частка акцыі: 295

Супраціўленне: 953 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A1004FBHFT

9T08052A1004FBHFT

частка акцыі: 249

Супраціўленне: 1 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T06031A10R0FBHFT

9T06031A10R0FBHFT

частка акцыі: 229

Супраціўленне: 10 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.1W, 1/10W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±200ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A8873FBHFT

9T08052A8873FBHFT

частка акцыі: 306

Супраціўленне: 887 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A9103FBHFT

9T08052A9103FBHFT

частка акцыі: 304

Супраціўленне: 910 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A9313FBHFT

9T08052A9313FBHFT

частка акцыі: 250

Супраціўленне: 931 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A9093FBHFT

9T08052A9093FBHFT

частка акцыі: 289

Супраціўленне: 909 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A8663FBHFT

9T08052A8663FBHFT

частка акцыі: 298

Супраціўленне: 866 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A8203FBHFT

9T08052A8203FBHFT

частка акцыі: 274

Супраціўленне: 820 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A8253FBHFT

9T08052A8253FBHFT

частка акцыі: 299

Супраціўленне: 825 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T08052A8453FBHFT

9T08052A8453FBHFT

частка акцыі: 231

Супраціўленне: 845 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.125W, 1/8W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні