Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A1300FBHF3

9T04021A1300FBHF3

частка акцыі: 798

Супраціўленне: 130 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1180FBHF3

9T04021A1180FBHF3

частка акцыі: 758

Супраціўленне: 118 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1210FBHF3

9T04021A1210FBHF3

частка акцыі: 811

Супраціўленне: 121 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1200FBHF3

9T04021A1200FBHF3

частка акцыі: 7455

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1240FBHF3

9T04021A1240FBHF3

частка акцыі: 771

Супраціўленне: 124 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1130FBHF3

9T04021A1130FBHF3

частка акцыі: 799

Супраціўленне: 113 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1100FBHF3

9T04021A1100FBHF3

частка акцыі: 740

Супраціўленне: 110 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1150FBHF3

9T04021A1150FBHF3

частка акцыі: 804

Супраціўленне: 115 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1070FBHF3

9T04021A1070FBHF3

частка акцыі: 804

Супраціўленне: 107 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A1000FBHF3

9T04021A1000FBHF3

частка акцыі: 735

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A97R6FBHF3

9T04021A97R6FBHF3

частка акцыі: 738

Супраціўленне: 97.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A95R3FBHF3

9T04021A95R3FBHF3

частка акцыі: 804

Супраціўленне: 95.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A90R9FBHF3

9T04021A90R9FBHF3

частка акцыі: 742

Супраціўленне: 90.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A93R1FBHF3

9T04021A93R1FBHF3

частка акцыі: 763

Супраціўленне: 93.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A91R0FBHF3

9T04021A91R0FBHF3

частка акцыі: 737

Супраціўленне: 91 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A86R6FBHF3

9T04021A86R6FBHF3

частка акцыі: 817

Супраціўленне: 86.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A88R7FBHF3

9T04021A88R7FBHF3

частка акцыі: 4144

Супраціўленне: 88.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A84R5FBHF3

9T04021A84R5FBHF3

частка акцыі: 814

Супраціўленне: 84.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A82R5FBHF3

9T04021A82R5FBHF3

частка акцыі: 729

Супраціўленне: 82.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A82R0FBHF3

9T04021A82R0FBHF3

частка акцыі: 777

Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A76R9FBHF3

9T04021A76R9FBHF3

частка акцыі: 790

Супраціўленне: 76.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A78R7FBHF3

9T04021A78R7FBHF3

частка акцыі: 730

Супраціўленне: 78.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A80R6FBHF3

9T04021A80R6FBHF3

частка акцыі: 805

Супраціўленне: 80.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A71R5FBHF3

9T04021A71R5FBHF3

частка акцыі: 4110

Супраціўленне: 71.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A73R2FBHF3

9T04021A73R2FBHF3

частка акцыі: 810

Супраціўленне: 73.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A69R8FBHF3

9T04021A69R8FBHF3

частка акцыі: 721

Супраціўленне: 69.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A75R0FBHF3

9T04021A75R0FBHF3

частка акцыі: 763

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A66R5FBHF3

9T04021A66R5FBHF3

частка акцыі: 796

Супраціўленне: 66.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A68R0FBHF3

9T04021A68R0FBHF3

частка акцыі: 780

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A68R1FBHF3

9T04021A68R1FBHF3

частка акцыі: 721

Супраціўленне: 68.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A64R9FBHF3

9T04021A64R9FBHF3

частка акцыі: 783

Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A61R9FBHF3

9T04021A61R9FBHF3

частка акцыі: 788

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A56R0FBHF3

9T04021A56R0FBHF3

частка акцыі: 793

Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A56R2FBHF3

9T04021A56R2FBHF3

частка акцыі: 733

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A57R6FBHF3

9T04021A57R6FBHF3

частка акцыі: 741

Супраціўленне: 57.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні
9T04021A59R0FBHF3

9T04021A59R0FBHF3

частка акцыі: 800

Супраціўленне: 59 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

Пажаданні